Лук'янчикова Наталія Борисівна

Наталія Борисівна Лук'янчикова (21 липня 1937, Київ — 31 жовтня 2011, Київ) — українська вчена-фізик, доктор фізико-математичних наук, професор, лауреатка Державної премії України в галузі науки і техніки.

Лук'янчикова Наталія Борисівна
Народилася21 липня 1937(1937-07-21)
Київ, УРСР, СРСР
Померла31 жовтня 2011(2011-10-31) (74 роки)
Київ, Україна
Місце проживанняКиїв, Україна
КраїнаСРСР СРСРУкраїна Україна
Діяльністьфізик
Alma materКиївський політехнічний інститут
Галузьфізика
ЗакладІнститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
Посадаголовний науковий спеціаліст Інституту фізики напівпровідників НАНУ
Вчене званняпрофесор
Науковий ступіньдоктор фізико-математичних наук
Нагороди
Державна премія України в галузі науки і техніки — 1995

Життєпис

ред.

Після закінчення у 1960 Київського політехнічного інституту і до самої смерті працювала в Інституті фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України. У 1990—1997 — завідувачка лабораторії флуктуаційних явищ у напівпровідниках. У 1997—2009 — завідувачка відділу розробки і флуктуаційного ана­лізу напівпровідникових матеріалів і структур. У 2009—2011 — головний науковий спеціаліст Інституту фізики напівпровідників НАНУ.

Науковий ступінь доктора фізико-математичних наук отримала у 1977 році, вчене звання професора — у 1991.

Наукова діяльність

ред.

Галузі наукових інтересів: природа 1f-шуму, механізми флуктуацій у фотопровідниках, світлодіодах, інжекційних лазерах, фотодіодах, електрохімічних комірках, лавинно-пролітних діодах, лавинних фотодіодах, біполярних, польових та МОН (метал–оксид–напівпровідник) транзисторах, а також механізми деградації напівпровідникових приладів.

Нагороди

ред.
 
Облікова картка Лауреата Державної премії УРСР Лук'янчикової Наталії Борисівни

Основні праці

ред.
  • Флуктуационные явлення в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, 1990. (рос.)
  • Noise Re­se­arch in Semiconductor Physics. London, 1996. (англ.)
  • High gate voltage drain current leveling off and its low-frequency noise in 65 nm fully-depleted strained and non-strained SOI nMOSFETs // Solid-State Electronics. 2008. Vol. 52, № 5 (англ.) (у спів­авторстві)
  • LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/ SiO2 gate dielec­tric // Там само. 2011. Vol. 63, № 1 (англ.) (у спів­авторстві).
  • Drain currents and their excess noise in triple gate bulk p-channel FinFETs of different geometry // Microelectronics Reliability. 2013. Vol. 53, № 3 (англ.) (у спів­авторстві).

Примітки

ред.
  1. Лауреати Державні премії — «За цикл праць Фізичні механізми деградації та шляхи підвищення надійності оптоелектронних приладів». Комітет з Державних премій України в галузі науки і техніки. Архів оригіналу за 15 лютого 2020. Процитовано 08.06.2019.

Джерела

ред.