Рафае́ль Тсу (англ. Raphael Tsu) — американський науковець китайського походження. Спеціаліст у галузі штучних атомоподібних систем, створених технологічними методами інтегральної електроніки в напівпровідниках. Прізвище Тсу (Tsu) прийняв після переїзду на захід із Китаю, де мав прізвище Жу (Zhu).

Рафаель Тсу
Raphael “Ray” Tsu.jpg
Народився 1925
Шанхай, Цзянсу[d], Бейянський урядd
Діяльність фізик
Alma mater Університет штату Огайо
Заклад University of North Carolina at Charlotted, National Renewable Energy Laboratoryd, IBM Thomas J. Watson Research Centerd, Лабораторії Белла і Energy Conversion Devicesd
Аспіранти, докторанти Armen Seviand[1]
Членство Американське фізичне товариство
Нагороди

Тсу народився в Шанхаї в родині правовірних католиків (його дядько був єпископом). Коли він залишав Шанхай, то його дядько нагадав йому старе китайське прислів'я, що для досягнення успіху в житті необхідно мати правильні знаряддя. Спершу Тсу переїхав на навчання в Англію, а потім в США, де він і отримав ступінь доктора філософії в університеті штату Охіо. Там він зробив визначний вклад в розвиток квантової механіки другої половини 20-го століття, в галузі «штучних квантових систем в твердому тілі» (man-made quantum solids).

Після декількох років праці у відомій корпорації — Bell Labs, де він винайшов ультразвуковий підсилювач, він уже будучи професором, перебрався в IBM. Тут він став асистентом Лео Есакі, винахідника тунельного діода і нобелівського лауреата (1973). Тут і розпочалася його плідна кооперація з Есакі в галузі штучних квантових систем у твердому тілі, таких як: надрешітки та квантові ями.

Своїми чисельними теоретичними розробками професор Тсу доказав, що квантові стани існують і можуть бути визначені в багатошарових напівпровідниках, таких як надрешітки. В порівнянні з періодом природної ґратки в кристалі, період штучної надрешітки може бути набагато більшим, і звідси випливає мала величина хвильового вектора та кристалічного моменту (і енергій також). Він також вперше звернув увагу і передбачив існування "від'ємного диференційного опору" в таких штучних матеріалах.

Див.такожРедагувати

ЛітератураРедагувати

ПосиланняРедагувати

  1. Математичний генеалогічний проєкт — 1997.