Тунельний діод — напівпровідниковий активний елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю.

Позначення тунельного діода в схемах
Схематичне зображення вольт-амперної характеристики тунельного діода

Історія ред.

Винайшов тунельний діод у 1957 році Ісакі Леона. В 1973 році він отримав Нобелівську премію з фізики за відкриття явища тунелювання електрона.

Будова та принцип дії ред.

В тунельному діоді використовується сильно легований p-n перехід, крізь який носії заряду можуть тунелювати при умові збігу енергій донорних рівнів електронів у n-області і акцепторних рівнів дірок у p-області. Струм через p-n перехід зростає для значень напруги, при яких такий збіг створюється, але зменшується при більшій напрузі, створюючи ділянку з від'ємною диференційною провідністю.

Використання ред.

Тунельні діоди відносно стійкі до іонізуючого випромінювання, в порівнянні з іншими діодами. Це робить їх придатними для застосування в середовищах з високими рівнями радіації, наприклад, у космосі.

Також широко використовуються в генераторах, підсилювачах та у високочастотних перемикачах. Можуть працювати на дуже високих частотах.

Джерела ред.

  • Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. — М.: Энергия, 1970. — 320с.
  • Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко. — М.: Энергия, 1973. — 656 с.
  • Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990. — 576 с. — ISBN 5-283-00554-2.


Див. також ред.