Джон Баттіскомб Ґанн
(Перенаправлено з Джон Баттіскомб Ганн)
Джон Баттіскомб Ґанн (англ. John Battiscombe Gunn) (13 травня 1928 — 2 грудня 2008) — британський та американський фізик.
Джон Баттіскомб Ґанн | |
---|---|
Народився | 13 травня 1928[1] Каїр, Єгипет |
Помер | 2 грудня 2008[1] (80 років) Маунт-Кіско, Нью-Йорк, США |
Країна | Велика Британія |
Діяльність | фізик, інженер |
Галузь | напівпровідник |
Alma mater | Триніті-коледж (Кембридж), Solebury Schoold і King Alfred Schoold |
Знання мов | англійська |
Членство | Інститут інженерів з електротехніки та електроніки, Американська академія мистецтв і наук і Національна інженерна академія США |
Нагороди | |
З біографії
ред.Джон Ґанн народився в Єгипті, закінчив Триніті-коледж Кембриджського університету зі ступенем з фізики в 1948 році. Його батько був єгиптолог Баттіскомб Ґанн, його зведений брат музикант — Спайк Г'юз, і тітка — шотландська націоналістка Венді Вуд.
Під час роботи у IBM, у 1963 році Джон Ганн винайшов діод Ґанна на основі ефекту Рідлі—Воткінса—Гілсома. Він був членом Національної академії наук США та Американської академії мистецтв і наук, і отримав премію IEEE Морріса М. Лібмана за 1969 рік, медаль Вальдемара Поульсена вид Королівської данської академії наук і літератури, і премію Джона Скотта.
Вибрані публікації
ред.- J. B. Gunn, «Microwave Oscillation of Current in III—V Semiconductors», Solid State Communications, 1 88 (1963). (англ.)
Примітки
ред.- ↑ а б в Gran Enciclopèdia Catalana — Grup Enciclopèdia, 1968.
Це незавершена стаття про науковця. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |