Монооксид кремнію

Монооксид кремнію (моноксид кремнію, силіцій(II) оксид) — сполука кремнію з киснем загальної формули SiO. Існує в молекулярному (газоподібному) та твердому (конденсованому) стані. Газуватий SiO був виявлений у зорях, і вважається найбільш розповсюдженим оксидом кремнію у всесвіті.

Силіцій (II) оксид
Інші назви	Моно(о)ксид кремнію
Ідентифікатори
Номер CAS	10097-28-6
PubChem	66241
Номер EINECS	233-232-8
Назва MeSH	Silicon+monoxide
ChEBI	30588
SMILES	[O+]#[Si-]
InChI	InChI=1S/OSi/c1-2
Номер Гмеліна	382
Властивості
Молекулярна формула	SiO
Молярна маса	44,08 г/моль
Зовнішній вигляд	чорно-коричнева крихка тверда речовина
Густина	2,13 г/см³
Тпл	1702 °C
Ткип	1880 °C
Розчинність (вода)	нерозчинний
Небезпеки
NFPA 704	0 1 0
Температура спалаху	Незаймистий
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Утворюється при взаємодії діоксиду кремнію (SiO₂) з твердим відновником (наприклад, металічним кремнієм чи вугіллям) за температур вище 1200 °C і високого вакууму (p<10⁻³ торр):

$SiO_{2}+C\rightleftharpoons SiO+CO$

$SiO_{2}+Si\rightleftharpoons 2SiO$.

В газовій фазі існує як у вигляді мономерів, так і димерів Si₂O₂ і тримерів Si₃O₃, що доведено методом матричної ізоляції. При осадженні на холодну поверхню утворює твердий монооксид кремнію.

Твердий моноксид кремнію — виключно аморфна речовина. Дані щодо його структури досі суперечливі. Два основні підходи розглядають його як 1) систему доменів Si та SiO₂ чи 2) сітку з 4-координованими атомами силіцію, частина позицій в якій зайнята іншими атомами силіцію. Відомо, що в температурному інтервалі 400–900 °C моноксид кремнію диспропорціонує на металічний кремній, оточений шаром SiO₂. Цей метод, зокрема, використовують для одержання квантових точок для подальшого застосування в світловипромінюючих діодах (LED).

Джерела

• Брауэр Г. (ред.) Руководство по неорганическому синтезу. (В 6 томах). Т.3. Москва «Мир». 1985. С. 762
• Silicon Chemistry. From the Atom to Extended Systems, Jutzi, P. and Schubert, U., Eds., Wiley-VCH, Weinheim, 2003