Рогачова Олена Іванівна
Рогачова Олена Іванівна (нар. 21 жовтня 1937, Харків) — доктор фізико-математичних наук, професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут», керівник лабораторії фізики напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства, академік Міжнародної термоелектричної академії (2015).
| Рогачова Олена Іванівна | |
|---|---|
| Народилася |
21 жовтня 1937 (86 років) Харків, Українська РСР, СРСР |
| Країна |
 СРСР Україна |
| Діяльність | викладачка університету, науковиця |
| Alma mater | НТУ «ХПІ» |
| Науковий ступінь | доктор фізико-математичних наук |
| Вчене звання | професор і академік |
| Заклад | НТУ «ХПІ» |
| Нагороди |
   |
Життєпис ред.
Олена Іванівна Рогачова народилася 21 жовтня 1937 р. у Харкові. До першого класу школи пішла в м. Кемерово, школу закінчила у Харкові з медаллю. У 1954 році вступила на інженерно-фізичний факультет Харківського політехнічного інституту на спеціальність «Фізика металів».
Професійна діяльність ред.
- 1969-1966 — аспірант науково-дослідного інституту основної хімії;
- 1967-дотепер — працівник у Національному технічному університеті «Харківський політехнічний інститут»;
- 1968 — захист кандидатської дисертації «Фізика твердого тіла»;
- 1990 — захист докторської дисертації «Фізика напівпровідників та діелектриків»;
- 1992 — присвоєно вчене звання професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут».
Звання та нагороди ред.
- 1993 — грант Міжнародного наукового фонду,
- 1993 — премія Міжнародної науково-освітньої програми,
- 2005 — пам'ятна медаль Фонду CRDF і почесна грамота Міністерства освіти і науки України за суттєвий внесок в розвиток міжнародного співробітництва між Україною та США,
- 2008 — Премія «Інтелект Харкова» ім. Палатника Л.С. в області фізики
- 2009 — Почесна грамота Міжнародної Академії термоелектрики,
- 2013 — обласна іменна стипендія в галузі фізики і астрономії імені К. Д. Синельникова,
Наукова, педагогічна та навчально-методична робота ред.
Олена Іванівна Рогачова керівник лабораторії фізики напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут». Написала дві монографії, понад 270 наукових праць у вітчизняних і міжнародних журналах. Учасниця близько 300 наукових конференціях у Японії, Австралії, Бразилії, США, Південній Кореї, Китаї та багатьох європейських країнах.
Під керівництвом Олени Іванівни підготовлено 11 аспірантів, одержано 3 гранти Державного фонду фундаментальних досліджень України спільно з Національним Науковим Фондом США та 5 грантів за міжнародними проектами. У колаборації з науковцями Массачусетського технологічного інституту досліджує фізичні основи створення наноматеріалів для термоелектричних перетворювачів енергії[2].
Була членом спеціалізованої вченої ради Д.64.160.01 із захисту дисертацій за спеціальністю «Фізика напівпровідників та діелектриків», секції з напівпровідникового матеріалознавства Наукової Ради НАН України, редколегії журналу «Термоелектрика» (англ. Journal of Thermoelectricity)[3].
Основні напрями досліджень:
- фізика напівпровідникових фаз змінного складу,
- розмірні ефекти у наноструктурах,
- термоелектричне матеріалознавство,
- нестехіометрія,
- домішки у напівпровідниках[4].
Джерела ред.
- ↑ УКАЗ ПРЕЗИДЕНТА УКРАЇНИ № 670/2015
- ↑ Науковці України — еліта держави V Видавництво Логос Україна 2017
- ↑ Державні нагороди України. Кавалери та лауреати" (том VI) Українська конфедерація журналістів
- ↑ Nepran (9 травня 2021). Рогачова Олена Іванівна. library.kpi.kharkov.ua (укр.). Процитовано 25 березня 2023.
Посилання ред.
- КАФЕДРА ФІЗИКИ НТУ «ХПІ» [недоступне посилання]
- Україна. Європа. Світ. Золотий фонд нації. Vivat, Україно! Українська конфедерація журналістів.
- Google Scholar
- Scopus
- Інформаційна сторінка науковця на сайті університету