Відкрити головне меню
Схема роботи скануючого тунельного мікроскопа
Зображення отримане за допомогою скануючого тунельного мікроскопа. На зображенні моношар нормального алкану C46H94

Скануюча тунельна мікроскопія (англ. scanning tunneling microscope) — метод дослідження детальної структури електропровідної поверхні з атомною точністю. В основі його лежить використання тунельного ефекту, що здійснюється так: до кінчика тоненької (молекулярних розмірів) голки, що розміщена над поверхнею, прикладається певна (дуже мала) напруга, що викликає невеликий квантово-механiчний тунельний струм для подолання енергетичної щілини між кінчиком голки та поверхнею. За величиною цього струму створюється топографічна карта поверхні. Збільшення напруги може привести до зміщення атомів поверхні або й викликати хімічну реакцію.

Зміст

ІсторіяРедагувати

Тунельний мікроскоп винайшли Герд Біннінг і Генріх Рорер із швейцарського відділення IBM, за що отримали Нобелівську премію з фізики за 1986 рік разом із винахідником електронного мікроскопа Ернстом Рускою.

Принцип діїРедагувати

Принцип дії тунельного мікроскопа заснований на пропусканні тунельного струму між тонким щупом і поверхнею. Щуп сканує поверхню в горизонтальній площині і переміщається у вертикальній площині таким чином, щоб підтримувати струм на постійному рівні. Вертикальні переміщення задаються прикладеною напругою, яка й фіксується для кожної точки поверхні, дозволяючи побудувати рельєф.

Див. такожРедагувати

ЛітератураРедагувати