Вікіпедія

DDR4 SDRAM: відмінності між версіями

Інтерактивний перегляд історії
[неперевірена версія][перевірена версія]
← Попереднє редагуванняНаступне редагування →
Вилучено вміст Додано вміст
ВізуальнийВікірозмітка
Shynkar (обговорення | внесок)
102 504 редагування
Немає опису редагування
Рядок 1:
[[Файл:Two_8_GB_DDR4-2133_ECC_1.2_V_RDIMMs.jpg|міні|ліворуч|200пкс|Пара планок пам'яті 8 GB DDR4-2133 ECC 1.2 V]]▼
{{DRAM types}}
▲[[Файл:Two_8_GB_DDR4-2133_ECC_1.2_V_RDIMMs.jpg|міні|ліворуч|200пкс|Пара планок пам'яті 8 GB DDR4-2133 ECC 1.2 V]]
 
'''DDR4 SDRAM''' ({{lang-en|double-data-rate fourth generation synchronous dynamic random access memory}}) — новий тип [[Оперативна пам'ять|оперативної пам'яті]], що є еволюційним розвитком попередніх поколінь DDR (DDR, DDR2, DDR3). Відрізняється підвищеними частотними характеристиками і зниженою напругою. Основна відмінність DDR4 полягає у подвоєному до 16 числі банків, що дозволило вдвічі збільшити швидкість передачі — до 3,2 Гбіт / с. Пропускна здатність пам'яті DDR4 досягає 34,1 ГБ/c (у разі максимальної ефективної частоти 4266 МГц, визначеної специфікаціями). Крім того, підвищена надійність роботи за рахунок введення механізму контролю парності на шинах адреси і команд. Підтримує ефективні частоти від 1600 до 4266 МГц. У січні 2011 року компанія Samsung офіційно представила нові модулі, що працюють в режимі DDR4-2133 при напрузі 1,2 В.
 
Рядок 6 ⟶ 7:
 
== Розробка ==
 
JEDEC представила інформацію про DDR4 на конференції MemCon в Токіо. Судячи по слайдах, новинка повинна мати і підвищену частоту (від 2133 до 4266 МГц), і знижену напругу (від 1,1 до 1,2 В) порівняно з попередніми стандартами, передбачуваний техпроцес — 32 і 36 нм. Масове виробництво намічалося на 2015 рік, а перші зразки для створення контролерів пам'яті і сумісних платформ — на 2011 рік . У січні 2011 компанія Samsung вперше представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті 2 Гб, а напруга 1,2 В . Пізніше [[SK Hynix]] представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133). Hynix заявила про 80%-м збільшенні продуктивності пам'яті в порівнянні з DDR3-1333. За оцінкою компанії Intel, вже в 2014 році DDR4 стане основним типом пам'яті DRAM, а до 2015 року ця пам'ять практично повністю витіснить використовувану зараз пам'ять DDR3. Виробники почнуть пропонувати ознайомчі зразки модулів DDR4 в 2013 році. За даними Intel, DDR4 споживає на 35% менше енергії, ніж DDR3L, а по пропускній здатності перевершує пам'ять попереднього покоління на 50%.
JEDEC представила інформацію про DDR4 на конференції MemCon в Токіо. Судячи по слайдах, новинка повинна мати і підвищену частоту (від 2133 до 4266 МГц), і знижену напругу (від 1,1 до 1,2 В) порівняно з попередніми стандартами, передбачуваний техпроцес — 32 і 36 нм. Масове виробництво намічалося на 2015 рік, а перші зразки для створення контролерів пам'яті і сумісних платформ — на 2011 рік.
 
У січні 2011 компанія Samsung вперше представила модуль DDR4. Техпроцес склав 30 нм, обсяг пам'яті 2 Гб, а напруга 1,2 В . Пізніше [[SK Hynix]] представила свій перший модуль DDR4, який перевершив модуль Samsung за частотою (2400 МГц замість 2133).
 
Hynix заявила про 80%-м збільшенні продуктивності пам'яті в порівнянні з DDR3-1333. За оцінкою компанії Intel, вже в 2014 році DDR4 стане основним типом пам'яті DRAM, а до 2015 року ця пам'ять практично повністю витіснить використовувану зараз пам'ять DDR3.
 
Виробники почнуть пропонувати ознайомчі зразки модулів DDR4 в 2013 році. За даними Intel, DDR4 споживає на 35 % менше енергії, ніж DDR3L, а по пропускній здатності перевершує пам'ять попереднього покоління на 50 %.
 
У вересні 2012 року JEDEC опублікувала фінальний варіант специфікації DDR4.
Рядок 21 ⟶ 29:
== Див. також ==
* [[DDR-SDRAM]]
 
== Посилання ==
* [http://www.ferra.ru/ru/system/review/ddr4-new-age-how-it-works/#.VqZg5FIasyA Початок нової епохи. Як працює оперативна пам'ять стандарту DDR4]{{ref-ru}}
 
{{compu-stub}}
{{DRAM}}
Отримано з https://uk.wikipedia.org/wiki/DDR4_SDRAM