На рисункумалюнку праворуч схематично показана будова біполярного транзистора NPN типу. Колектором служить напівпровідник n-типу, легований [[Донор (домішка)|донорами]] до невисокої концентрації 10<sup>13</sup>−10<sup>15</sup> см<sup>−3</sup>. Перед створенням бази напівпровідник покривають [[фоторезист]]ом і за допомогою [[фотолітографія|літографії]] звільняють вікно для легування [[акцептор електрона|акцепторами]]. Атоми акцептора дифундують в глибину напівпровідника, створюючи область із доволі високою концентрацією — 10<sup>17</sup>−10<sup>18</sup> см<sup>−3</sup>. На третьому етапі знову створюється вікно для легування донорами й утворюють емітер із ще вищою концентрацією домішок, необхідною для того, щоб спочатку компенсувати акцептори, а потім створити напівпровідник n-типу. Відношення домішок у емітері й у базі повинно бути якомога більшим для забезпечення гарних характеристик транзистора.
Ще кращих характеристик можна досягти, якщо перехід між базою й емітером зробити [[гетероперехід|гетеропереходом]], у якому емітер має набагато більшу ширину [[заборонена зона|забороненої зони]], хоча це і збільшує собівартість транзистора. В такому випадку на поверхню бази через вікно напилюється інша речовина.
