Резонансний тунельний діод: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Немає опису редагування |
||
Рядок 1:
'''Резонансний тунельний діод''' - [[напівпровідник]]овий елемент [[електричне коло|електричного кола]] з нелінійною [[вольт-амперна характеристика|вольт-амперною характеристикою]], в якому використовується тунелювання [[носії заряду]] через оточену двома [[потенціальний бар'єр|потенціальними бар'єрами]] [[потенціальна яма|потенціальну яму]].
Резонансний тунельний діод має ділянку вольт-амперної характеристики з [[від'ємна диференційна провідність|від'ємною диференційною провідністю]].
== Будова==
В резонансному тунельному діоді використовується [[гетероструктура]], в якій потенціальна яма для носіїв заряду, наприклад, для електронів, відділена від контактних легованих областей потенціальними бар'єрами. Наприклад, область потенціальної ями може складатися з [[GaAs]], області потенціальних бар'єрів - з Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As, зовнішні області - з логованого [[донор електрона|донорами]] GаAs.
== Принцип дії==
Через гетероструктуру з високою імовірністю проходять тільки ті [[електрон]]и, енергія яких співпадає з енергією [[квантування|квантованих рівнів]] у потенціальній ямі. Електрони з більшою чи меншою енергією через структуру пройти не можуть. При підвищенні прикладеної до гетероструктури [[напруга|напруги]] енергія електронів у контактному шарі зростає. Коли вона стає рівною енергії квантованого рівня всередині ями, через структуру починає проходити [[електричний струм]]. Проте при дальшому підвищенні напруги на діоді електрони набирають більшу енергію й знову не можуть проходити через гетероструктуру - сила струму падає. Як наслідок, виникає область від'ємної диференційної провідності.
==Використання==
Від'ємна диференційна провідність резонансного тунельного діоду застосовується для створення високочастотних генераторів електричних коливань.
| |||