Нітрид галію
хімічна сполука
Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах.
| Нітрид галію | |
|---|---|
| |
| |
| Назва за IUPAC | Нітрид галію |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 25617-97-4 |
| PubChem | 117559 |
| Номер EINECS | 247-129-0 |
| RTECS | LW9640000 |
| SMILES | [Ga]#N |
| InChI | 1/Ga.N/rGaN/c1-2 |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | GaN |
| Молярна маса | 83,73 г/моль |
| Зовнішній вигляд | жовтий порошок |
| Густина | 6,15 г/см3 |
| Тпл | >2500 °C[1] |
| Розчинність (вода) | реагує |
| Показник заломлення (nD) | 2.429 |
| Структура | |
| Кристалічна структура | вюртцит |
| C6v4-P63mc | |
| Координаційна геометрія |
тетраедральна |
| Небезпеки | |
| Індекс ЄС | не числиться |
| Температура спалаху | не займається |
| Пов'язані речовини | |
| Інші аніони | фосфід галію арсенід галію антимонід галію[en] |
| Інші катіони | нітрид бору нітрид алюмінію[en] нітрид індію[en] |
| Пов'язані речовини | Арсенід галію алюмінію[en] арсенід індію галію[en] Фосфід арсенід галію[en] Нітрид алюмінію галію[en] Нітрид індію галію[en] |
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки | |
Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю[3]. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або киснем, для провідності p-типу — магнієм.
Примітки ред.
- ↑ Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP....96.2501H. doi:10.1063/1.1772878.
- ↑ Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
- ↑ Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi (1997). Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters. Japanese Journal of Applied Physics. 36 (Part 1, No. 9A): 5393—5408. doi:10.1143/JJAP.36.5393. ISSN 0021-4922.
|
Це незавершена стаття про неорганічну сполуку. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |