Арсенід алюмінію
хімічна сполука
Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник.
| Арсенід алюмінію | |
|---|---|
| |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 22831-42-1 |
| PubChem | 89859 |
| Номер EINECS | 245-255-0 |
| SMILES | [Al]#[As] |
| InChI | 1/Al.As/rAlAs/c1-2 |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | AlAs |
| Молярна маса | 101,9031 г/моль |
| Зовнішній вигляд | помаранчеві кристали |
| Густина | 3,72 г/см³ |
| Тпл | 1740 °C (2013 K) |
| Показник заломлення (nD) | 3 (ІЧ) |
| Структура | |
| Кристалічна структура | цинкової обманки |
| T2 d-F-43m | |
| Координаційна геометрія |
тетраедрична |
| Пов'язані речовини | |
| Інші (напівпровідник) | Арсенід галію, арсенід індію, антимонід алюмінію, арсенід бору |
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки | |
Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу ширину забороненої зони. Завдяки збігу періодів ґратки арсенід галію, арсенід алюмінію та їхні сплави добре утворюють гетеропереходи й гетероструктури, а тому широко використовується в напівпровідниковій електроніці.
Примітки
ред.Література
ред.- Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
- Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.
|
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |
|
Це незавершена стаття про неорганічну сполуку. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |