Повна роздільність(1440 × 1080 пікселів, розмір файлу: 598 КБ, MIME-тип: image/jpeg)

Wikimedia Commons logo Відомості про цей файл містяться на Вікісховищі — централізованому сховищі вільних файлів мультимедіа для використання у проектах Фонду Вікімедіа.

Опис файлу

Опис
Українська: В результаті електрохімічного травлення на поверхні фосфіду індію було отримано структуру у вигляді масивних поруватих нанодротів, упакованих по типу «паркет». Нанодроти представляють собою оксид індію, а саме In2O3. Отримана наноструктура відрізняється упорядкованим поперечним та поздовжнім відносним зсувом окремих нанодротів.

При взаємодії фосфіду індію з іонами розчину електроліту при пропусканні електричного струму відбувається утворення адатомів, що містять атоми з розчину електроліту та напівпровідника. Ці адатоми утворюють періхідні шари на межі розділу напівпровідник/електроліт, відомі як шари Гуї та Гельмгольца. Під дією електричного струму адатоми перехідних шарів вириваються з поверхні кристалу та переходять у розчин електроліту. Цим зумовлюється поява отворів травлення на поверхні кристалу. Згодом таких отворів стає все більше, спостерігається формування шару, що представляє собою щільну порувату структуру з тонкими простінками між отворами. За таким механізмом відбувається утворення нижнього шару por-InP. При подальшій електрохімічній обробці зразка відбувається альтернативний процес – іони електроліту та продукти реакції розчинення під дією електричного струму починають «прилипати». Оксидні острівці стають зародками формування кристалітів. Як правило, джерелом для такого зародку є дефекти вихідного кристалу, а саме ковзні дислокації, що виходять на поверхню напівпровідника під час електрохімічної обробки. При продовженні електрохімічної обробки запускається ланцюговий механізм росту нанодротів. Можемо спостерігати ефект «Доміно» при виборі напрямків росту. Таким чином, простота методу та розуміння процесів самозбірки та самоорганізації наноструктурованих шарів відкривають перспективи створення широкого класу наноструктуруваних архітектур на поверхні навівпровідників, які можуть знайти застосування як фотонні кристали. Це зображення символізує боротьбу українського народу за незалежність, стійкість солдатів Збройних сил України. Своїми роботами, виконаними у стилі Наноарт, ми хочемо привернути увагу світу до подій, що відбуваються в Україні, закликати до допомоги та підтримки. Синтез наноструктур проведено в Бердянському державному педагогічному університеті, автори Яна Сичікова та Сергій Ковачов. На момент подачі зображення на конкурс місто Бердянськ знаходиться в окупації, а університет захоплено російськими загарбниками. Зображення зроблено в рамках проекту «Наноарт. Новий символізм науки».

Проєкт реалізовується за підтримки Фонду стійкості для українських митців програми Artists at Risk Connection від PEN America
English: Nanoart “Nanoarta” Periodic porous oxide crystallites on the surface of indium phosphide As a result of electrochemical etching on the surface of indium phosphide, the structure was obtained in the form of massive porous nanowires packed in the “parquet” type. Nan wires are indium oxide, namely In2O3. The obtained nanostructure differs by the ordered transverse and longitudinal relative displacement of individual nanowires. This image symbolizes the struggle of the Ukrainian people for independence, the Ukrainian stability of the Armed Forces. With our work made in the style of Nanoart, we want to draw the world's attention to the events taking place in Ukraine and to call for help and support. The synthesis of nanostructures was carried out at the Berdyansk State Pedagogical University, the authors are Yana Suchikova (Yana Sychikova) and Serhii Kovachov. At the time of submission of the image for the competition, the city of Berdyansk is under occupation, and the university is captured by the russian invaders. The image was made within the project “Nanoart. New Symbolism of Science”. The project is implemented with the support of the Sustainability Fund for Ukrainian Artists of the Artists at Risk Connection program of PEN America
Час створення
Джерело Власна робота
Автор Яна Сычикова

Ліцензування

Я, власник авторських прав на цей твір, добровільно публікую його на умовах такої ліцензії:
w:uk:Creative Commons
зазначення авторства
Цей файл доступний на умовах ліцензії Creative Commons Із зазначенням авторства 4.0 Міжнародна
Ви можете вільно:
  • ділитися – копіювати, поширювати і передавати твір
  • модифікувати – переробляти твір
При дотриманні таких умов:
  • зазначення авторства – Ви повинні вказати авторство, надати посилання на ліцензію і вказати, чи якісь зміни було внесено до оригінального твору. Ви можете зробити це в будь-який розсудливий спосіб, але так, щоб він жодним чином не натякав на те, наче ліцензіар підтримує Вас чи Ваш спосіб використання твору.
This image was uploaded as part of Science Photo Competition 2022 in Ukraine.

Підписи

Періодичні поруваті оксидні кристаліти на поверхні фосфіду індію

Об'єкти, показані на цьому файлі

зображує

Історія файлу

Клацніть на дату/час, щоб переглянути, як тоді виглядав файл.

Дата/часМініатюраРозмір об'єктаКористувачКоментар
поточний09:10, 8 грудня 2022Мініатюра для версії від 09:10, 8 грудня 20221440 × 1080 (598 КБ)Yana SychikovaUploaded own work with UploadWizard

Нема сторінок, що використовують цей файл.

Метадані