Ефект поля: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Іванко1 (обговорення | внесок) м правопис |
Ququ (обговорення | внесок) м оформлення |
||
Рядок 130:
===Заряд інверсного шару та ефективна товщина збідненої області===
Повний заряд в напівпровідниці <math>Q_s </math> створюється електронами, дірками та іонізованими домішками. Заряд електронів <math>Q_n </math> в інверсному шарі можна отримати інтегруванням величини <math>qn </math> від <math>x = 0 </math> до <math>x_i </math>, де <math>W_F = W_i </math>:
:<math>Q_n = q\int_{0}^{x_i} n\, dx</math>.
Рядок 152:
:<math>x_{dm} (\mu m)= \sqrt{\frac{10^{13}}{|N|}}.</math> (19)
==Експериментальні методи дослідження поверхні напівпровідника==
| |||