Молекулярно-променева епітаксія: відмінності між версіями

'''Молекулярно-променева епітаксія''' ({{lang-en|Molecular-beam epitaxy, MBE}}) — метод [[Епітаксія (технологія)|епітаксіального росту]] [[кристал]]ів в умовах надвисокого (10⁻⁸ [[Паскаль (одиниця СІ)|Па]]) [[вакуум]]у. Був винайдений на початку 1960-х у [[Bell Labs]] Дж. Артуром ({{lang-en|J. R. Arthur}}) і Альфредом Чо ({{lang-en|Alfred Y. Cho}}, {{lang-zh|卓以和;}}).<ref>{{Cite journal | doi = 10.1016/0079-6786(75)90005-9 | last1 = Cho | first1 = A. Y. | last2 = Arthur | first2 = J. R. | last3 = Jr | first3 = | year = 1975 | title = Molecular beam epitaxy | url = | journal = Prog. Solid State Chem. | volume = 10 | issue = | pages = 157–192 }}</ref>