|
== Області, основні розділи і напрями електроніки ==
Електроніка включає три області досліджень: '''[[Вакуумна електроніка|вакуумну електроніку]]''', '''[[твердотільна електроніка|твердотілу електроніку]]''', '''[[квантова електроніка|квантову електроніку]]'''. Кожна підрозділяється на ряд розділів і ряд напрямів. Розділ об'єднує комплекси однорідних фізико-хімічних [[явище|явищ]] і [[процес]]ів, які мають фундаментальне значення для розробки багатьох класів [[електронний прилад|електронних приладів]] даної області. Напрям охоплює методи конструювання і розрахунків електронних приладів, родинних по принципах дії або по виконуваних ними функціям, а також способи виготовлення цих приладів.
=== [[Вакуумна електроніка]] ===
Найважливіші напрями '''[[квантова електроніка|квантової електроніки]]''' — створення [[лазер]]ів і [[мазер]]ів. На основі приладів [[квантова електроніка|квантової електроніки]] будуються пристрої для точного виміру відстаней ([[далекомір]]и), квантові стандарти частоти, квантові гіроскопи, системи оптичного багатоканального зв'язку, космічної телекомунікації, радіоастрономії. Енергетична дія лазерного концентрованого випромінювання на речовину використовується в промисловій технології. [[Лазер]]и знаходять різне вживання в [[біологія|біології]] і [[медицина|медицині]].
Електроніка знаходиться у стадії інтенсивного розвитку; для неї характерні поява нових галузей і створення нових напрямів у вже наявних галузях. Наприклад [[Наноелектроніка|наноелектроніку]] вважають сучаснним четвертим етапоп розвитку електроніки.<ref>[http://www.dut.edu.ua/uploads/l_1271_68656090.pdf | Мікроелектроніка і наноелектроніка. Вступдоспеціальності: навч. посіб. / Ю. М. Поплавко, О. В. Борисов, В. І. Ільченкотаін. – — К.: НТУУ «КПІ», 2010. – — 160 с – — Бібліогр.: с. 157.– 200 пр.-ISBN 978-966-622-350-3|]</ref>
== Технологія електронних приладів ==
=== Твердотільні електронні прилади ===
Твердотільні електронні прилади в основному використовують властивості [[напівпровідник]]ів, [[електропровідність|провідність]] яких дуже чутлива до [[Легуюча домішка|домішок]], [[температура|температури]], освітлення тощо<ref>{{Cite web|title=Температурно-електрична нестійкість у напівпровідникових монокристалах CdSb - Реферат|url=https://works.doklad.ru/view/nBgkgyEWKZk.html|website=works.doklad.ru|accessdate=2020-12-04}}</ref><ref>{{Cite web|title=Вплив температури на від’ємну диференційну провідність $N$-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з надпровідними електродами|url=https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v42/i09/1187.html|website=mfint.imp.kiev.ua|accessdate=2020-12-04|language=uk}}</ref>. На контактах легованого напівпровідника з металом або двох по різному легованих областей напівпровідника утворюються області [[просторовий заряд|просторового заряду]] — [[Ефект Шотткі|контакт Шотткі]], [[p-n перехід]], які мають нелінійні [[вольт-амперна характеристика|вольт-амперні характеристики]] (наприклад, [[Від'ємна диференційна провідність|від'ємну диференційну провідність]]). Ці явища дозволили сконструювати напівпровідникові елементи — [[діод]]и, [[транзистор]]и, які поступово витіснили [[електровакуумний прилад|вакуумні прилади]] з більшості галузей застосування.
Розвиток напівпровідникової технології дозволив об'єднувати різноманітні елементи електричного кола: [[транзистор]]и, [[діод]]и, [[резистор]]и та ємності на одній підкладці, що призвело до створення [[інтегральна схема|інтегральних схем]] або [[мікросхема|мікросхем]] (див. [[РТЛ]], [[ТТЛ]] тощо). Напівпровідникова електроніка стала [[мікроелектроніка|мікроелектронікою]]. Сучасні інтегральні схеми об'єднують в одному пристрої сотні мільйонів транзисторів.
| 