Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Yuriz (обговорення | внесок) |
Yuriz (обговорення | внесок) м оформлення |
||
Рядок 1:
'''МДН-транзи́стор''' ({{lang-en|metal-insulator-semiconductor field-effect transistor, MISFET}}) — [[напівпровідник]]овий [[прилад]], що як базовий фізичний принцип використовує [[ефект поля]].
Типовий МДН-транзистор складається з МД/ОН- структури (метал- діелектрик/окисел- напівпровідник, наприклад n— типу), та двох p— карманів для [[електрод]]ів ''[[Джерело (польовий транзистор)|джерела]]'' (''source'') та ''[[Стік (польовий транзистор)|стоку]]'' (''drain''). Металічний керуючий електрод називається ''[[Затвор (польовий транзистор)|затвором]]'' (''gate''), а напівпровідниковий — ''підкладкою'' (''bulk'').
Відомо, що МДН-структури мають три режими роботи: ''збагачення'' або ''акумуляції'' (з власною провідністю напівпровідника); ''слабої інверсії'' (із змішаною провідністю) та ''сильної інверсії'' (з інверсною провідністю).
Тому в принципі можна використовувати будь-який з цих трьох режимів роботи для практичної реалізації МДН-транзистора, і на перших порах в [[1960-ті|60-х роках]] їх і використовували при серійному виробництві (звідси має витік певна неоднозначність навіть в назвах цих приладів, оскільки одні працювали на основних носіях, другі — на неосновних, а треті мали змішану провідність, тому їх просто називали ''[[польовий транзистор|польові транзистори]]'').
| |||