Польовий транзистор: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [перевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
м →Див. також: доповнення |
MobyVan (обговорення | внесок) м replaced: в якості → як, в кінці → наприкінці , 183 — 191 → 183—191, . → ., Седов С. А. → Седов С. А. за допомогою AWB |
||
Рядок 23:
В МДН-транзисторах четвертий електрод має назву "підкладка". Проте слід розрізняти дискретні МДН-транзистори, в яких електрод підкладки (bulk) працює нарівні з іншими електродами (тобто жорстко індивідуалізовангий), та інтегральні схеми на МДН-транзисторах в яких електрод підкладки (substrate) є спільний для всіх МДН транзисторів одного типу. Правда у випадку технології кремній на сапфірі, електроди підкладки є також індивідуалізовані для кожного інтегрального МДН- транзистора.
Вплив електроду підкладки на ВАХ МДН-транзисторів широко досліджувався
Якимаха А.Л. Микромощные инверторы на МДН-транзисторах. Радиотехника, т.35, №1, 1980, с.21-24.</ref><ref>
Якимаха А.Л., Берзин Л.Ф. Триодный режим МДП-транзисторов. Изв. вузов СССР. Приборостроение, т.21, №11, 1978, с.101-103.</ref><ref>
Рядок 31:
[[Файл:Field effect transistors (uk).svg|thumb|500px|Види польових транзисторів та їх позначення на [[Принципова електрична схема|принципових схемах]].]]
Серед різновидів польових транзисторів можна виділити два основні класи: польові транзистори із затвором у виді [[p-n перехід|p-n переходу]] та польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого напівпровідникового об'єму [[діелектрик]]ом. Прилади цього класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал - діелектрик - напівпровідник) та МОН транзисторами (від словосполучення метал - оксид - напівпровідник), оскільки
В свою чергу транзистори з ізольованим каналом поділяються на транзистори з вбудованим каналом (англ. depletion mode transistor) та індукованим каналом. Транзистори з вбудованим каналом (у них канал відкритий при нульовій напрузі витік-затвор) зустрічаються набагато рідше
Також польові транзистори підрозділяються на транзистори з каналом провідності n-типу або p-типу.
Рядок 85:
== Джерела ==
* ''Напівпровідникові прилади'' : Підручник / Л. Д. Васильєва, Б. І. Медведенко, Ю. І. Якименко . — К.: Кондор, 2008. — ISBN 978-966-622-103-9.
* Терещук Р. М., Терещук К. М., Седов
* {{МГЕ}}
| |||