Ефект поля: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Немає опису редагування |
||
Рядок 144:
Вперше МДН- структура була отримана на практиці в 1960 році після успішної реалізації технології ''пасивації кремнію'' Кангом та Аталлою. В рамках цієї технології МДН- структура створювалась в одному технологічному процесі: спершу поверхня кремнію окислювалась, а потім уже на окисел напилювалась металізація. Завдяки єдиному процесу, металічний електрод практично був еквідистантний поверхні розділу окисел - кремній, що забезпечувало ''однорідність'' електричного поля на всій площі МДН- структури. На основі цих МДН- структур були виготовлені перші МДН- транзистори.
Слід відзначити, що тривіальне врахування статистики Фермі- Дірака замість Максвелла- Больцмана не виводить теорію за межі ''напівкласичного підходу''. Більше того, навіть врахування т.з. ''трикутної потенційної ями'' на поверхні напівпровідника, що приводить до появи дискретних рівнів енергії у зоні провідності (валентній зоні) також не виводить за вказані межі.
Основною особливістю МДН- структури є те, що на поверхні розділу діелектрик- напівпровідних індукується ''p- n - перехід'', в якому носії заряду мають властивості двовимірної (2D-) системи , поведінка якої до сих пір практично не вивчена. Звідси і т.з. "несподіванка" з відкриттям ''квантового ефекту Хола'', ''плоского атому'' і т.і.
===Ємність МДН- структури===
| |||