Підсилювач заряду: відмінності між версіями
[неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Sw1972 (обговорення | внесок) Доопрацьовано розділ "Частотна характеристика фізично здійсненого підсилювача заряду" |
Shkod (обговорення | внесок) вікіфікація |
||
Рядок 1:
'''Підсилювач заряду'''
[[Файл:Charge Amplifier.Connections.wiki.svg|centre|Рисунок 1. Схема підключення
Позначення на рисунку 1: B —
Для того, щоб звести нанівець вплив паразитної ємкості кабелю, який
У випадку ідеального підсилювача заряду напруга на виході підсилювача <math> U_{OUT}(t)</math> дорівнює відношенню заряду давача <math> Q(t)</math> до ємності зворотнього
== Спрощена модель підсилювача заряду ==
[[Файл:Charge Amplifier Simple Model.wiki.svg|centre|frame|Рисунок 2. Еквівалентна схема, яка пояснює роботу підсилювача заряду]]
Позначення на рисунку 2: Q(t) —
На нижній частині рисунку 2 вхідна ємність підсилювача заряду позначена як C<sub>IN</sub>.
Для зручності деякі формули будуть представлені у операторній формі.
Рядок 46:
<math>U_{OUT}(t)=-K \cdot U_{IN}(t)</math>,
де <math>K</math>
Залежність напруги на вході підсилювача <math>U_{IN}(t)</math> від значення заряду давача <math> Q(t)</math>:
Рядок 62:
<math>U_{OUT}(t)=-{Q(t) \over C} \cdot {K \over {K+1}} \cdot {1 \over {1+{{C_{SEN}+C_{CAB}} \over {C \cdot (K+1)}}}}</math>.
Тобто, чим більше коефіцієнт підсилювання <math>K</math>, тим менше вплив ємностей давача <math> C_{SEN}</math> та кабелю <math> C_{CAB}</math> на вихідний сигнал <math> U_{OUT}</math>.
Якщо коефіцієнт підсилювання <math>K</math> дорівнює нескінченності, маємо ідеальний підсилювач заряду з передавальною характеристикою <math>U_{OUT}(t)=-{Q(t) \over C}</math>.
Важливою властивістю підсилювача заряду являється незалежність вихідної напруги від довжини екранованого дроту, який
== Уточнена модель підсилювача заряду ==
[[Файл:Charge Amplifier.Improved Model.wiki.svg|centre|frame|Рисунок 3. Уточнена модель підсилювача заряду]]На рисунках 3-I та
Для запобігання дрейфу вхідної напруги на вході аналогового підсилювача через вплив струму витоку входу аналогового підсилювача A, для стабілізації роботи аналогового підсилювача A, розробники вимушені доповнювати схему на рисунку 1 резистором R у ланці зворотнього
=== Перетворення активного опору R у ланці зворотнього
Струм I<sub>IN</sub> на вході лінійного інвертуючого підсилювача A, охопленого
<math>I_{IN}={{U_{IN}-U_{OUT}} \over {R}}={{U_{IN}+K \cdot U_{OUT}} \over {R}}={{U_{IN} \cdot (K+1)} \over {R}}</math>
Якщо переходимо від еквівалентної схеми на рисунку 3-I до еквівалентної схеми на рисунку 3-II, на вході лінійного інвертуючого підсилювача
Тоді знову визначимо струм I<sub>IN</sub>: <math>I_{IN}={{U_{IN}} \over {R_{IN}}}</math>.
Рядок 115:
<math>U_{OUT}(p)=-K \cdot U_{IN}(p) =-K \cdot {Q(p) \cdot {1 \over {C_{SEN} + C_{CAB} + C \cdot (K+1)}} \cdot {{p \cdot \tau} \over {(p \cdot \tau + 1)}}}</math>,
де <math>K</math>
У підсумку маємо передавальну функцію реального підсилювача заряду:
Рядок 132:
<math>A(\omega) = \left \vert H({j \cdot {\omega}}) \right \vert = \left \vert {{U_{OUT}(j \cdot {\omega})} \over {Q(j \cdot {\omega})}} \right \vert = -{1 \over C} \cdot {K \over {K+1}} \cdot {1 \over {1+{{C_{SEN}+C_{CAB}} \over {C \cdot (K+1)}}}} \cdot { \sqrt {{{({\omega} \cdot {\tau})}^2} \over {1 + {({\omega} \cdot {\tau})}^2}}}</math>,
де <math>\omega ={2 \cdot {\pi} \cdot f}</math>
Остаточно маємо
<math>A(f) = -{1 \over C} \cdot {K \over {K+1}} \cdot {1 \over {1+{{C_{SEN}+C_{CAB}} \over {C \cdot (K+1)}}}} \cdot { \sqrt {{({{f} \over {f_{0}}})^2} \over {1 + ({{f} \over {f_{0}}})^2}}}</math>,
<math>f_{0}={{1} \over {2 \cdot {\pi} \cdot {\tau}}}</math>
З цього можна зробити висновок, що реальний підсилювач заряду являється фільтром верхніх частот з нижньою межею смуги пропускання <math>f_{0}={{1} \over {2 \cdot {\pi} \cdot {\tau}}}</math>, тобто він не здатен підсилювати постійну складову заряду.
==
{{reflist}}
[[Категорія:Аналогова електроніка]]
[[Категорія:Схемотехніка]]
|