Польовий транзистор: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Правильно не керівний а керуючий |
зображення, доповнення |
||
Рядок 1:
'''Польови́й транзи́стор''' — [[напівпровідник|напівпровідниковий]] пристрій, переважно із трьома виводами, в якому [[сила струму]], що протікає між двома електродами ([[Витік (електрод)|витоком]] і [[стік (електрод)|стоком]]) регулюється [[напруга|напругою]], прикладеною до третього електрода ([[Затвор (електрод)|затвор]]а<ref>Цей термін устоявся в літературі, хоча є запозиченням з російської мови. Відповідні українські терміни могли б бути: засувка, заслін, замок</ref>).
== Історія ==▼
Вперше ідея використання ефекту поля (електричного) для модуляції провідності на поверхні напівпровідника була запропонована [[Юліус Лілієнфельд|Лілієнфельд]]ом в середині 20-х років. В другій половині 30-х років [[Вільям Шоклі]] спробував її реалізувати на поверхні германію, керівний електрод розділявся за допомогою слюдяної пластинки. Хоч [[ефект поля]] і підтвердився експериментально, проте до практичної реалізації справа так і не дійшла. І тільки в 1960 році, коли була розроблена технологія пасивації кремнію (Девон Канг та Мартін Аталла), з'явились перші МДН-транзистори. Модель роботи МДН-транзистора була вперше запропонована [[Са Ч.Т.]]▼
== Будова ==
Рядок 5 ⟶ 8:
[[Файл:Lateral mosfet.svg|thumb|300px|right|Схема будови метал-оксидного польового транзистора]]
На малюнку праворуч схематично зображена будова одного з типів польового транзистора: метал-оксидного ([[МДН- транзистор|MOSFET]]), або МОН (метал-оксид-напівпровідник). Струм в транзисторі протікає через канал, що утворено легованою областю напівпровідника, розташованою між [[Підкладка (електроніка)|підкладкою]] і затвором. До каналу під'єднані два електроди — витік, що є джерелом [[носії заряду|носіїв заряду]] й стік, до якого носії заряду стікаються. Контакти між витоком та стоком і каналом робляться [[Омічний контакт|омічними]]. Для цього приконтактні області сильно легують. Ці області позначені на рисунку n<sup>+</sup>.
== Принцип дії ==
За принципом дії польовий транзистор дуже схожий на [[Кран (гідравліка)|водопровідний кран]]. Носії заряду протікають через канал, обмежений з одного боку підкладкою, в якій не може протікати струм, бо в ній немає носіїв заряду, та [[область збіднення|областю збіднення]], яка утворюється під затвором завдяки [[Контактна різниця потенціалів|контактній різниці потенціалів]]. Шириною області збіднення можна керувати, прикладаючи до затвора напругу. При прикладенні зворотної напруги область збіднення розширюється і перекриває більшу частину каналу. В канал наче висувається
== Типи польових транзисторів ==
[[Файл:Field effect transistors (uk).svg|thumb|500px|Види польових транзисторів та їх позначення на [[Принципова електрична схема|принципових схемах]].]]
Серед різновидів польових транзисторів можна виділити два основні класи: польові транзистори із затвором у виді [[p-n перехід|p-n переходу]] та польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого напівпровідникового об'єму [[діелектрик]]ом. Прилади цього класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал - діелектрик - напівпровідник) та МОН транзисторами (від словосполучення метал - оксид - напівпровідник), оскільки в якості діелектрика найчастіше використовується [[діоксид кремнію]]
В свою чергу транзистори з ізольованим каналом поділяються на транзистори з вбудованим каналом (англ. depletion mode transistor) та індукованим каналом. Транзистори з вбудованим каналом (у них канал відкритий при нульовій напрузі витік-затвор) зустрічаються набагато рідше .
Також польові транзистори підрозділяються на транзистори з каналом провідності n-типу або p-типу.
Рядок 33 ⟶ 39:
== Застосування ==
Із розробкою технології [[інтегральна схема|інтегральних схем]] польові транзистори майже витіснили [[біполярний транзистор|біполярні транзистори]] з більшості галузей електроніки. Понад 100 млн транзисторів у [[процесор]]і [[комп'ютер]]а, за допомогою якого можна прочитати цю сторінку Вікіпедії, є польовими транзисторами. Вони використовуються також у мікросхемах, які входять до складу більшості радіоелектронних приладів: мобільних телефонів, телевізорів, пральних машин, холодильників тощо.
Стрімко розвиваються галузі застосування потужних польових транзисторів. У силовій електроніці потужні польові транзистори успішно замінюють і витісняють потужні біполярні транзистори. В підсилювачах потужності звукових частот класу [[Hi-Fi]] і [[Hi-End]] потужні польові транзистори успішно замінюють потужні електронні лампи, оскільки мають малі нелінійні і динамічні спотворення.
▲== Історія ==
▲Вперше ідея використання ефекту поля (електричного) для модуляції провідності на поверхні напівпровідника була запропонована [[Юліус Лілієнфельд|Лілієнфельд]]ом в середині 20-х років. В другій половині 30-х років [[Вільям Шоклі]] спробував її реалізувати на поверхні германію, керівний електрод розділявся за допомогою слюдяної пластинки. Хоч [[ефект поля]] і підтвердився експериментально, проте до практичної реалізації справа так і не дійшла. І тільки в 1960 році, коли була розроблена технологія пасивації кремнію (Девон Канг та Мартін Аталла), з'явились перші МДН-транзистори. Модель роботи МДН-транзистора була вперше запропонована [[Са Ч.Т.]]
==
* [[КМОН]]
* [[МДН- транзистор]] * [[Транзистор із плавним затвором]]
== Література ==
| |||