Біполярний транзистор: відмінності між версіями

Виводи біполярного транзистора називаються '''емітером''', '''базою''' і '''колектором'''. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори NPN та PNP типу. В транзисторі NPN типу емітер і колектор легуються [[донор електрона|донорами]], а база — [[акцептор електрона|акцепторами]]ами. В транзисторі PNP типу — навпаки.

На рисунку праворуч схематично показана будова біполярного транзистора NPN типу. Колектором служить напівпровідник n-типу, легований [[донор]]ами до невисокої концентрації 10¹³-10¹⁵ см⁻³. Перед створенням бази напівпровідник покривають [[фоторезист]]ом і за допомогою [[фотолітографія|літографії]] звільняють вікно для легування [[акцептор електрона|акцепторами]]ами. Атоми акцептора дифундують в глибину напівпровідника, створюючи область із доволі високою концентрацією — 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³. На третьому етапі знову створюється вікно для легування донорами й утворюють емітер із ще вищою концентрацією домішок, необхідною для того, щоб спочатку компенсувати акцептори, а потім створити напівпровідник n-типу. Відношення домішок у емітері й у базі повинно бути якомога більшим для забезпечення гарних характеристик транзистора.

Існує три основні схеми включення [[транзистор]]ів. При цьому один з [[електрод]]ів транзистора є загальною точкою входу і виходу [[каскадКаскад (електроніка)|каскаду]]у. Треба пам’ятати, що під входом (виходом) розуміють точки, між якими діє вхідна (вихідна) [[змінна напруга]]. Основні схеми включення називаються [[схема зі спільним емітером|схемами зі спільним емітером]] (СЕ), [[схема зі спільною базою|спільною базою]] (СБ) і [[схема зі спільним колетором|спільним колектором]] (СК).