DRAM: відмінності між версіями

Елементи пам'яті в мікросхемі DRAM — це крихітні конденсатори, які утримують заряди. Саме так (наявністю або відсутністю зарядів) і кодуються біти. Проблеми, пов'язані з пам'яттю цього типа, викликані тим, що вона динамічна, тобто повинна постійно регенеруватися, оскільки інакше електричні заряди в конденсаторах пам'яті «стікатимуть» і дані будуть втрачені. Регенерація відбувається, коли контролер пам'яті системи бере крихітну перерву і звертається до всіх рядків даних в мікросхемах пам'яті. Більшість систем мають контролер пам'яті (зазвичай вбудовуваний в набір мікросхем системної плати), який налаштований на відповідну промисловим стандартам частоту регенерації, рівну 15 мкс. До всіх рядків даних звернення здійснюється після проходження 128 спеціальних циклів регенерації. Це означає, що кожні 1,92 мс прочитуються всі рядки в пам'яті для забезпечення регенерації даних.

 

 

У пристроях DRAM для зберігання одного біта використовується тільки один транзистор і пара конденсаторів, тому вони місткіші, ніж мікросхеми інших типів пам'яті.

 

== Історія ==

 

У 1964 році Арнольд Фарбер (Arnold Farber) і Євген Шліґ (Eugene Schlig) працювали в IBM створюючи комірку пам'яті що було складною задачою; за допомогою транзисторних воріт і засувки тунельних діодів, які пізніше замінили перемикачами із двох транзисторів і двох резисторів, що стало відомим як Фарбер-Шліґова комірка.

 

== Принцип роботи ==

Елементом пам'яті такого типу є чутливий [[підсилювач]] ({{lang-en|sense amp}}), який підключений до кожного із стовпців «прямокутника». Він реагує на слабкий потік [[електрон]]ів, які рухаються через відкриті транзистори із обкладинок конденсаторів, і зчитує цілком всю сторінку. Саме сторінки і є мінімальною порцією обміну із динамічною пам'яттю, тому що обмін даними із окремо взятою коміркою нереальний.

 

 

=== Швидка сторінкова пам'ять ===

 

Швидка сторінкова пам'ять ({{lang-en|fast page mode DRAM, [[FPM DRAM]]}}) з'явилася в [[1995]] році. Принципово нових змін пам'ять не набула, а збільшення швидкості роботи досягалося підвищенням навантаження на апаратну складову. Цей тип пам'яті в основному використовувався для комп'ютерів із процесорами [[Intel 80486]] чи аналогічних процесорів інших фірм. Пам'ять могла працювати на частотах 25 МГц і 33 МГц, із часом повного доступу 70 нс і 60 нс, та часом робочого циклу 40 нс і 35 нс відповідно.

 

== Корпуси ==

Елементи пам'яті типу DRAM конструктивно виконуються або у вигляді окремих мікросхем в корпусі тпипу [[DIP]], або у вигляді модулів пам'яті типу: [[SIP]] (Single In-Line Package), [[SIMM]] (Single In-line Memory Module), [[DIMM]] (Dual In-line Memory Module), [[RIMM]] (Rambus In-line Memory Module).

 

 

=== Модулі RIMM ===

 

== Виробники ==

|}

 

<references/>