Тонкоплівковий транзистор

Тонкоплі́вковий транзи́стор (TFT, англ. thin-film transistor) — різновид польового транзистора, створений у 1962 році Полом К. Веймером (США)[1], у якому як металеві контакти, так і напівпровідниковий канал провідності виготовляються у вигляді тонких плівок (від 1/10 до 1/100 мікрона).

Основні типи TFT конструкцій.

ЗастосуванняРедагувати

TFT застосовуються у рідкокристалічних дисплеях як елементи керування активною матрицею на рідких кристалах. Контрастність зображення таких моніторів може бути дуже високою — від 50:1 до 100:1[2].

Останнім часом TFT стали застосовуватися в багатьох OLED-дисплеях як елементи керування активною матрицею на органічних світлодіодах (AMOLED).

Структура TFT матриціРедагувати

1 — Скляні пластини

2/3 — Горизонтальний і вертикальний поляризатори

4 — маска кольорів RGB

5/6 — Горизонтальний і вертикальний командний рядок

7 — Натертий полімерний шар

8 — Розпірки

9 — Тонкоплівкові транзистори

10 — Передній електрод

11 — Задні електроди

ПриміткиРедагувати

  1. Weimer, Paul (1962-06). The TFT A New Thin-Film Transistor. Proceedings of the IRE 50 (6). с. 1462–1469. ISSN 0096-8390. doi:10.1109/JRPROC.1962.288190. Процитовано 16 січня 2023. 
  2. [Thin Film Transistor (рос.). Архів оригіналу за 5 червня 2008. Процитовано 6 листопада 2008.  Thin Film Transistor (рос.)]

Див. такожРедагувати

ПосиланняРедагувати