Радіус Дебая

Радіус Дебая або дебаївський радіус екранування — величина із розмірністю довжини, якою характеризує екранування кулонівського потенціалу в напівпровідниках, плазмі, електролітах.

Природа явища

Якщо помістити пробний заряд у середовище із вільними носіями заряду, то електростатичне поле на певній віддалі від нього визначатиметься сумою електростатичного поля самого пробного заряду й розташованих навколо заряджених частинок середовища. Оскільки заряджені частинки в свою чергу взаємодіють із полем пробного заряду, то вони притягатимуться до нього або відштовхуватимуться від нього. Сумарну дію всіх зарядів можна визначити, розв'язуючи рівняння Пуасона

$\nabla ^{2}\varphi =-{\frac {4\pi }{\varepsilon }}(\rho +\delta \rho )$,

де $\varphi$ — електростатичний потенціал, $\varepsilon$ — діелектрична проникність, ρ — густина зарядів середовища, $\delta \rho$ — густина пробного заряду.

Густина заряду ρ в свою чергу залежить від значення електростатичного потенціалу $\varphi$. Ця залежність визначається природою середовища. Розв'язок рівняння Пуасона з конкретною залежністю між густиною заряду та потенціалом загалом дає для потенціалу вираз, який експоненціально спадає з віддаллю (на відміну від повільного кулонівського потенціалу). Показник у експоненті визначає радіус Дебая.

Напівпровідники

Для напівпровідників радіус Дебая $R_{D}\,$ визначається формулою

$R_{D}={\sqrt {\frac {\varepsilon k_{B}T}{4\pi ne^{2}}}}$,

де e — заряд електрона, $k_{B}\,$ — стала Больцмана, T — температура, n — концентрація заряджених частинок (електронів та дірок), $\varepsilon$ — діелектрична проникність напівпровідника.

Екранований кулонівський потенціал виражається через радіус Дебая як

$U(r)={\frac {e^{2}}{\varepsilon r}}e^{-r/R_{D}}$.

Для металів, де концентрація електронів у наполовину заповненій валентній зоні набагато більша, екранування кулонівської взаємодії сильніше й визначається іншою величиною: радіусом Томаса-Фермі.

Назва

Радіус Дебая завдячує своєю назвою нідерландському фізику Петеру Дебаю.