Ефект поля: відмінності між версіями

[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
IvanBot (обговорення | внесок)
м →‎Заряди та потенціали на поверхні напівпровідника: replaced: більш компактній → компактнішій
IvanBot (обговорення | внесок)
м →‎Поверхнева провідність МДН- структури: replaced: Найбільш простий → Найпростіший
Рядок 170:
Якщо на поверхні напівпровідника в МДН- структурі створені ''омічні контакти'', то вимірюючи провіднісчть між ними в залежності від напруги зміщення, можна отримати ряд корисних відомостей про властивості поверхні. Цей метод дослідження був використаний в класичних експериментах Шоклі та Пірсоена.
 
Найбільш простийНайпростіший шлях обчислення поверхневої провідності полягає в знаходженні надлишкової поверхневої густини електронів та дірок <math>\Delta n </math> і <math>\Delta p </math> в функції поверхневого потенціалу. Позначаючи через <math>n_0 </math> та <math>p_0 </math> густини носіїв заряду у випадку плоских зон <math>(u = 0) </math>, можна записати:
 
:<math>\Delta p = \int_{0}^{\infty} (p - p_0)\, dx; \Delta n = \int_{0}^{\infty} (n - n_0\, dx; </math>