Вторинна електронна емісія: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
м Бот: Автоматизована заміна тексту: (-заміна англійських одиниць вимірювання +на українські відповідники та десяткових крапок на коми., ... |
||
Рядок 3:
'''Вторинна електронна емісія''' - явище вибивання електронів із твердого тіла пучками швидких заряджених частинок.
Вторинна електронна емісія кількістно характеризується '''коефіцієнтом вторинної електронної емісії'''
:<math> \sigma = \frac{N}{N_0} </math>,
де N - потік вибитих електронів, N<sub>0</sub> - потік заряджених частинок, що падають на поверхню твердого тіла, який називають '''первинним'''.
Вторинна електронна емісія здійснюється із поверхневого шару твердого тіла, товщина якого не перевищує 10<sup>
У максимумі коефіцієт вторинної електронної емісії вищий за одиницю, тобто кожна швидка частинка вибиває більше, ніж один вторинний електрон. Найкращими матеріалами для вторинної електронної емісії є [[напівпровідник]]и й [[діелектрик]]и.
Рядок 14:
Вторинна електронна емісія використовується в [[електронний мікроскоп|електронних мікроскопах]] і в [[фотоелектронний помножувач|фотолектронних помножувачах]].
== Джерела ==
*
|автор=Білий М.У.
|назва=Атомна фізика
Рядок 25:
{{Physics-stub}}
[[Категорія:
[[cs:Sekundární elektrony]]
| |||