Молекулярно-променева епітаксія: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Немає опису редагування |
||
Рядок 9:
Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну [[Підкладка (електроніка)|підкладку]]. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме:
* підтримання в робочій камері надвисокого (порядку 10<sup>−8</sup> Па);
* високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%)
== Посилання ==
| |||