Власний напівпровідник: відмінності між версіями

Характеристики, близькі до характеристик власних напівпровідників, мають [[компенсований напівпровідник|компенсовані напівпровідники]], в яких доволі висока концентрація [[Донор електрона|донорів]] урівноважена відповідною концентрацією [[акцептор]]ів.

 

У власному напівпровіднику носіями заряду є [[електрон провідності|електрони провідності]] й [[дірка (квазічастинка)|дірки]], які створюються

за рахунок теплового збудження кристалу із переходом електрона з валентної зони в зону провідності. Концентрація носіїв заряду залежить

:<math> p = N_V e^{(E_V - \mu)/k_B T} </math>,

 

k_B - [[стала Больцмана]], T - [[температура]], p - концентрація дірок у валентній зоні, N_V - ефективна густина станів

у валентній зоні, E_V - енергія [[верх валентної зони|верха валентної зони]].

:<math> \mu = E_V + \frac{E_g}{2} +\frac{k_B T}{2} \text{ln}\, \frac{N_V}{N_C} </math>.

 

напівпровіднику розташований посередині забороненої зони. Саме тому концентрація носіїв заряду мала й залежить в основному від

ширини забороненої зони. Для напівпровідників типу [[арсенід галію|арсеніду галію]] її можна вважати практично нульовою, для [[германій|германію]] вона

помітна.

 

 

{{Physics-stub}}

 

 

[[ar:شبه موصل ذاتي]]

[[it:Semiconduttore#Semiconduttori intrinseci]]

[[ja:真性半導体]]

[[ko:진성 반도체]]

[[pl:Półprzewodnik samoistny]]