Власний напівпровідник: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
орфографія, стилістика |
||
Рядок 1:
'''Власний напівпровідник''' - [[напівпровідник]] з дуже малою концентрацією домішок.
У власному напівпровіднику кількість [[електрон провідності|електронів]] у [[зона провідності|зоні провідності]]
у валентній зоні й визначається в основному шириною [[заборонена зона|забороненої зони]].
Рядок 11:
==Концентрація носіїв заряду==
У власному напівпровіднику носіями заряду є [[електрон провідності|електрони провідності]] й [[дірка (квазічастинка)|дірки]], які створюються
за рахунок теплового збудження кристалу із переходом електрона з валентної зони в зону
від температури й від таких характеристик напівпровідника, як ширина забороненої зони й ефективні густині станів у зоні провідності й валентній зоні.
:<math> n = N_C e^{(\mu - E_C)/k_B T} </math>,
| |||