Напівпровідниковий діод: відмінності між версіями
[неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
мНемає опису редагування |
стильові правлення, пунктуація, видалено безглузді та неінформативні твердження |
||
Рядок 3:
'''Напівпровіднико́вий діо́д''' ({{lang-ru|полупроводниковый диод}}, {{lang-en|semiconductor (crystal) diode}}; {{lang-de|н. Halbleiterdiode f}}) — це напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами.
Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал
Випрямний перехід,
==Види напівпровідникових діодів==
Загалом, механізм односторонньої провідності у діоді однаковий, проте для його створення можна використовувати не лише виключно напівпровідники, а й метали.
===Напівпровідник-напівпровідник===
Якщо зплавити напівпровідники з різними типами провідності (n- та p-провідністю), то на межах їх стику утворюється p-n перехід.
===Метал-напівпровідник===
Якщо методом катодного розпилення, або вакуумного осадження, на очищену зону напівпровідника, нанести метал, то утвориться з’єднання метал-напівпровідник. Робота виходу електронів з металу значно більша, ніж у напівпровідника. Тому утвориться різниця робіт виходу, та різниця потенціальних бар’єрів. Це зумовить перехід електронів із напівпровідника до металу, та
== Основні параметри напівпровідникового діода ==
* I<sub>s</sub> — струм насичення (тепловий струм);
* R<sub>б</sub> — опір бази діода;
Рядок 26 ⟶ 28:
== Проектування ==
При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА), широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найбільш поширеними є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми, або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у
▲При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА) широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найбільш поширеними є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладів.
== Застосування ==
Застосовуються практично у всх єлектронних схемах, та в багатьох електричних.
===Див. також===
* [[Діод]]
== Література ==
* {{МГЕ}}
|