Напівпровідниковий діод: відмінності між версіями

[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
NAME XXX (обговорення | внесок)
мНемає опису редагування
стильові правлення, пунктуація, видалено безглузді та неінформативні твердження
Рядок 3:
'''Напівпровіднико́вий діо́д''' ({{lang-ru|полупроводниковый диод}}, {{lang-en|semiconductor (crystal) diode}}; {{lang-de|н. Halbleiterdiode f}}) — це напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами.
 
Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал — -напівпровідник.
 
Випрямний перехід, крімокрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, [[помножувач]]ів, [[модулятор]]ів, [[стабілітрон]]ів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, [[варикап]]ів та інших. Тому за призначенням напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні ([[стабілітрон]]и), чотиришарові перемикаючі, [[фотодіод]]и, [[світлодіод]]и, [[тунельні діоди]] та інші.
 
==Види напівпровідникових діодів==
Загалом, механізм односторонньої провідності у діоді однаковий, проте для його створення можна використовувати не лише виключно напівпровідники, а й метали.
 
===Напівпровідник-напівпровідник===
Якщо зплавити напівпровідники з різними типами провідності (n- та p-провідністю), то на межах їх стику утворюється p-n перехід. - вільніВільні електрони з області напівпровідника з n-провідністю рекомбінують з "дірками" напівпровідника з p-провідністю. Утворюється нейтральний шар, який розділяє дві області з електричними зарядами. УтворюєтьсяСтворюється різниця потенціалів. Якщо подати напругу негативним знаком на n-область та позитивним на n-область, то електрони будуть здатні подолати нейтральний бар'єр і учерез діодідіод утворитьсяпотече струм (односторонняпряме провідністьувімкнення діода). Якщо подати напругу позитивним знаком на n-область, таа негативним на p-область, то нейтральний шар розшириться (які вакуумний) та струм протікати не буде.
 
===Метал-напівпровідник===
Якщо методом катодного розпилення, або вакуумного осадження, на очищену зону напівпровідника, нанести метал, то утвориться з’єднання метал-напівпровідник. Робота виходу електронів з металу значно більша, ніж у напівпровідника. Тому утвориться різниця робіт виходу, та різниця потенціальних бар’єрів. Це зумовить перехід електронів із напівпровідника до металу, та відсутностівідсутность переходу електронів із металу до напівпровідника. Це створить різницю потенціалів, і подальший механізм односторонньої провідності обумовлюватиметься механізмом односторонньої провідності діода.
 
== Основні параметри напівпровідникового діода ==
 
* I<sub>s</sub>&nbsp;— струм насичення (тепловий струм);
* R<sub>б</sub>&nbsp;— опір бази діода;
Рядок 26 ⟶ 28:
 
== Проектування ==
При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА), широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найбільш поширеними є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми, або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладівприладах.
 
При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА) широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найбільш поширеними є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладів.
 
== Застосування ==
Застосовуються практично у всх єлектронних схемах, та в багатьох електричних.
 
Застосовуються в схемах перетворення змінної напруги у постійну, в схемах захисту, логічних елементах та ін. схемах.
 
===Див. також===
 
* [[Діод]]
 
== Література ==
 
* {{МГЕ}}