Відмінності між версіями «Гетероструктури»

вікіфікація
(вікіфікація)
(вікіфікація)
{{без джерел}}
[[Файл:Heterojunction types.png|thumb|Три типи гетероструктур в залежності від взаємного розташування зон]]
Гетероструктура — термін у [[Фізика|фізиці]] напівпровідників, що позначає вирощену на підкладці шарувату структуру з різних напівпровідників[[напівпровідник]]ів, в загальному випадку відрізняються шириною забороненої зони. Між двома різними матеріалами формується так званий [[гетероперехід]], в якому можлива підвищена концентрація [[Носії заряду|носіїв]], і звідси — формування виродженого двовимірного електронного газу. На відміну від гомоструктур володіє більшою свободою вибору в конструюванні потрібного потенційного профілю зони провідності і валентної зони. Гетероструктури дають можливість управління фундаментальними параметрами в напівпровідникових кристалах і приладах: шириною забороненої зони, ефективними масами носіїв і їх рухливості, показником заломлення, електронним енергетичним спектром і т. д.
 
Для вирощування гетероструктур використовують багато різних методів, серед яких можна виділити два основних: