Відмінності між версіями «Гетероструктури»

744 байти вилучено ,  4 місяці тому
нема опису редагування
(Перевів статтю з рос.мови на українську)
{{без джерел}}
{{без джерел|дата=Джойс Б. А., Хекингботтом Р., Менх У. и др. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. — Под ред. Л. Ченга, К. Плога. Пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева. — Москва: Мир, 1989. — 582 с. — ISBN 5-03-000737-7.
 
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. — 1998. — Т. 32, № 1. — С. 3. — ISSN 0015-3222.
 
Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. — Физматлит Москва, 2008. — 488 с. — ISBN 978-5-9221-0995-6.}}
[[Файл:Heterojunction types.png|thumb|Три типи гетероструктур в залежності від взаємного розташування зон]]
Гетероструктура - термін у фізиці напівпровідників, що позначає вирощену на підкладці шарувату структуру з різних напівпровідників, в загальному випадку відрізняються шириною забороненої зони. Між двома різними матеріалами формується так званий гетероперехід, в якому можлива підвищена концентрація носіїв, і звідси - формування виродженого двовимірного електронного газу. На відміну від гомоструктур володіє більшою свободою вибору в конструюванні потрібного потенційного профілю зони провідності і валентної зони. Гетероструктури дають можливість управління фундаментальними параметрами в напівпровідникових кристалах і приладах: шириною забороненої зони, ефективними масами носіїв і їх рухливості, показником заломлення, електронним енергетичним спектром і т. д.
Анонімний користувач