Лавинно-пролітний діод: відмінності між версіями

'''Лавинно-пролітний напівпровідниковий діод (ЛПД)''' ({{lang-en|IMPATT diode (IMPact ionization Avalanche Transit-Time)}}) - напівпровідниковий прилад з негативним опором, що виникає через зсув фаз між струмом і напругою на виводах приладу внаслідок інерційних властивостей лавинного множення носіїв заряду і кінцевого часу їх прольоту в області [[p-n перехід|р-n-переходу]]. Лавинне множення в р-n-переході викликане ударною іонізацією атомів носіями заряду. На відміну від інших приладів цього класу ([[тунельний діод|тунельних діодів]], [[тиристор]]ів, [[діод Ганна|Ганна діодів]]), негативний опір ЛПД виявляється тільки на [[НВЧ]]. Ідея створення ЛПД вперше висловлена ​​американським фізиком В. Рідом в 1958. Експериментально генерація коливань за допомогою ЛПД вперше спостерігалась в СРСР в 1959 групою співробітників під кер. О. С. Тагера.

 

* БСЭ

* Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролітні діоди і їх застосування в техніці НВЧ, М., 1968.

== Див. також ==

{{Доробити}}