Вперше названазву осціллістор давввів Ларрабі і Стілом ву праці «Осціллістор - новий тип напівпровідникового осцилятора»<ref>Larrabee R.D., Steel M.C. Oscillistor — ''New Type Semiconductor Oscillator''. //[[J. Appl. Phys.]]-1960.- v.31.-N9.-p.1519-1523. </ref>. Назва пов'язана з тим, що цей напівпровідниковий прилад генерує високочастотні електричні коливання, за формою близькі до синусоїдальних. В основі роботи приладу лежить явище гвинтової нестійкості електронно-діркової плазми. Це явище в напівпровідниках було відкрито Ю. Л. Івановим і С. М. Ривкіним в 1957 р, які проводили досліди зі зразком, виготовленим із германію у вигляді стрижня з поперечним перерізом 1,5 × 1.5 мм і довжиною 8 мм з омічними контактами на кінцях.<ref name="ref2">Иванов Ю. Л., Рывкин С. М. Возникновение колебаний тока в образцах германия, помещенных в электрическое и продольное магнитное поле. // ЖТФ .- 1958 .-т.28 .- в.4 .-с.774-775. </ref> Вид вольт-амперних характеристик мало відрізняється від лінійного. При кімнатній температурі через зразки пропускався постійний струм. Коливання струму реєструвалися як коливання напруги на опорі, ввімкненому послідовно зі зразком. Виникнення коливань мало пороговий характер: при заданому магнітному полі В коливання виникали тільки при визначеному струмі через зразок, а при заданому струмі - лише починаючи з певного мінімального значення Bmin ~ 1 Тл.
