Польовий транзистор: відмінності між версіями

{{unibox}}

 

'''Польови́й транзи́стор''', '''FET''' ({{lang-en|Field-effect transistor}})&nbsp;— [[напівпровідник]]овий пристрій, переважно із трьома виводами, в якому [[сила струму]], що протікає між двома [[електрод]]ами ([[Витік (електрод)|витоком]] і [[стік (електрод)|стоком]]) регулюється [[Електрична напруга|напругою]], прикладеною до третього електрода ([[Затвор (електрод)|затвора]]<ref>Цей термін устоявся в літературі, хоча є запозиченням з російської мови. Відповідні українські терміни могли б бути: засувка, заслін, замок.</ref>).

== Типи польових транзисторів ==

[[Файл:Field effect transistors (uk).svg|thumb|500px|Види польових транзисторів та їх позначення на [[Принципова електрична схема|принципових схемах]].]]

 

Серед різновидів польових транзисторів можна виділити два основні класи: польові транзистори із затвором у виді [[p-n перехід|p-n переходу]] та польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого напівпровідникового об'єму [[діелектрик]]ом. Прилади цього класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал&nbsp;— діелектрик&nbsp;— напівпровідник) та МОН транзисторами (від словосполучення метал&nbsp;— оксид&nbsp;— напівпровідник), оскільки як діелектрик найчастіше використовується [[діоксид кремнію]].