DRAM: відмінності між версіями

Регенерація пам'яті, на жаль, віднімає час у процесора: кожен цикл регенерації за тривалістю займає декілька циклів центрального процесора. У старих комп'ютерах цикли регенерації могли займати до 10 % (або більше) процесорного часу, але в сучасних системах, що працюють на частотах, рівних сотням мегагерц, витрати на регенерацію становлять 1 % (або менше) процесорного часу. Деякі системи дозволяють змінити параметри регенерації за допомогою програми установки параметрів CMOS, але збільшення часу між циклами регенерації може призвести до того, що в деяких елементах пам'яті заряд «стече», а це викличе збої пам'яті. В більшості випадків надійніше дотримуватися частоти регенерації, що рекомендується або заданої за умовчанням. Оскільки витрати на регенерацію в сучасних комп'ютерах складають менше 1 %, зміна частоти регенерації має незначний вплив на характеристики комп'ютера.

Першим модулем DRAM із мультиплексними рядками та колонками адресного простору був [[Mostek]] MK4096 (4096x1) розроблений Робертом Проебстінгом (Robert Proebsting), і представлений вже в 1973 році. Це схематичне рішення було заздалегідь радикальним, дозволяло формувати пакети з меншою кількістю контактів, що створювало ряд переваг, які мали відчуватися із кожним кроком зростання пам'яті. MK4096 також виявилися досить надійними в розробці клієнтських [[застосунок|застосунків]]. Уже при 16K щільністі ефективність стала досить помітною, і Mostek MK4116 16K DRAM досягнуло більш ніж 75 % частини всього світового ринку DRAM. Проте, коли щільність зросла до 64K Mostek обігнали японські виробники DRAM завдяки продажам високоякісної DRAM з використанням тієї ж схеми мультиплексування за ціною, нижчою від вартості (японські компанії згодом були визнані винними у скоєнні [[демпінг|цінового демпінгу]]).

Спеціальний тип оперативної пам'яті '''Video RAM''' ([[VRAM]]) був розроблений на основі пам'яті типу SDRAM для використання у [[відеокарта|відеокартках]] (розробки велися Ф. Діллом (F. Dill) і Р. Матіком (R. Matick) починаючи з [[1980]] року, а запатентували в [[1985]] (Патент США 4,541,075)). Він дозволяв забезпечувати неперервний потік даних в процесі оновлення зображення, що було необхідно для реалізації зображення високої якості. На основі пам'яті типу VRAM, з'явилася [[специфікація]] пам'яті типу [[Windows RAM]] ([[WRAM]]), хоча іноді її помилково пов'язують із [[операційна система|операційними системами]] сімейства [[Windows]]. Її продуктивність стала на 25 % вище, ніж у оригінальної пам'яті типу SDRAM, завдяки деяким технічним змінам.

Швидка сторінкова пам'ять ({{lang-en|fast page mode DRAM, [[FPM DRAMRAM]]}}) з'явилася в [[1995]] році. Принципово нових змін пам'ять не набула, а збільшення швидкості роботи досягалося підвищенням навантаження на апаратну складову. Цей тип пам'яті в основному використовувався для комп'ютерів із процесорами [[Intel 80486]] чи аналогічних процесорів інших фірм. Пам'ять могла працювати на частотах 25 МГц і 33 МГц, із часом повного доступу 70 нс і 60 нс, та часом робочого циклу 40 нс і 35 нс відповідно.

Із появою процесорів [[Pentium II|Intel Pentium II]] пам'ять FPM DRAM виявилася зовсім неефективною. Тому наступним кроком стала [[пам'ять із вдосконаленим виходом]] ({{lang-en|extended data out DRAM, [[EDO DRAMRAM]]}}). Ця пам'ять з'явилася на ринку в [[1996]] році і стала активно використовуватися на комп'ютерах із процесорами [[Intel Pentium]] і новіше. Її продуктивність виявилася на 10-15 % вище в порівнянні із пам'яттю типу FPM DRAM. Її робочі частоти були 40 МГц і 50 МГц, відповідно і час повного доступу — 25 нс і 20 нс. Ця пам'ять містить [[Регістр (цифрова техніка)|регістр]]-застібку ({{lang-en|data latch}}) вихідних даних, що забезпечувало деяку конвеєризацію роботи для підвищення продуктивності при читанні.