Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Yuriz (обговорення | внесок) Зазирайте, будь-ласка, до словників, коли пишете "англ." :-| |
||
Рядок 1:
'''МДН-транзи́стор''' ({{lang-en|
Типовий МДН-транзистор складається з МД/ОН- структури (метал- діелектрик/окисел- напівпровідник, наприклад n— типу), та двох p— карманів для [[електрод]]ів ''[[
Відомо, що МДН-структури мають три режими роботи: ''збагачення'' або ''акумуляції'' (з власною провідністю напівпровідника); ''слабої інверсії'' (із змішаною провідністю) та ''сильної інверсії'' (з інверсною провідністю).
Тому в принципі можна використовувати будь-який з цих трьох режимів роботи для практичної реалізації МДН-транзистора, і на перших порах в [[1960-ті|60-х роках]] їх і використовували при серійному виробництві (звідси має витік певна неоднозначність навіть в назвах цих приладів, оскільки одні працювали на основних носіях, другі — на неосновних, а треті мали змішану провідність, тому їх просто називали ''[[польовий транзистор|польові транзистори]]'').
Проте з часом переміг один режим роботи МДН-транзистора — «режим сильної інверсії», і тому сьогодні тільки з ним і пов'язується однозначно назва «МДН-транзистор». Але навіть в цьому разі реальні прилади можуть працювати в двох режимах роботи: слабої (при включенні), та сильної (нормальний режим) інверсій.
В загальному випадку можлива реалізація МДН-транзисторів двох типів: n— канальних та p— канальних. Більше того, обидва типи МДН-транзисторів можуть бути виготовлені на одній підкладці. В цьому випадку говорять про комплементарні (КМОН-) транзистори. На [[КМОН-транзистор]]ах досить легко реалізувати цифрові логічні схеми (наприклад — «інвертори»). Вигода від використання КМОН- логічних інверторів очевидна, оскільки вони в статичному режимі не споживають енергії. Дійсно, не залежно від логічного стану на виході інвертора, завжди один із послідовно включених транзисторів є «відкритий», а інший «закритий», тому струм через них не протікає. Проте при перемиканні логічного інвертора із одного стабільного стану в інший (перехідний процес) звичайно струм протікає, і його слід враховувати (особливо при високих [[тактова частота|тактових частотах]] логічних схем).
[[Файл:MOSFET.svg|400px|thumb|Поперечний переріз n— канального МДН-транзистора (написи на ілюстрації — польською мовою)]]
== Історія винаходу ==
Ідея створення МДН-транзистора виникла наприкінці 1920-ті|20-х років 20-го століття]] і тому пріоритет був захищений патентами в США — Лілієнфельдом, а у Великій Британії —
Здійснити ці ідеї на практиці спробував Шоклі наприкінці 30-х років 20-го століття. Як напівпровідник тоді використовували [[германій]], як діелектрик — пластинки слюди, роль металічного електрода — металічна пластинка або металізоване покриття пластинки слюди. Звичайно Шоклі отримав модуляцію провідності поверхні германія, проте ефект був незначним. Більше того, досить нестабільним в часі, що не дозволяло впровадження його в серійне виробництво.
| |||