Польовий транзистор: відмінності між версіями
| [перевірена версія] | [перевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Виправлення назви контакту польового транзистора |
→Будова: доповнення |
||
Рядок 8:
== Будова ==
[[Файл:Lateral mosfet.svg|thumb|300px|right|Схема будови метал-оксидного польового транзистора: ''source'' — витік, ''gate'' — затвор, ''drain'' — стік]]
На малюнку праворуч схематично зображена будова одного з типів польового транзистора: метал-оксидного ([[МДН- транзистор|MOSFET]]), або МОН (метал-оксид-напівпровідник). Усі транзистори такого типу мають ''витік'', ''стік'' та ''затвор'', яким відповідають ''[[емітер]]'', ''[[колектор]]'' та ''база''. Струм в транзисторі протікає через канал, що утворено легованою областю напівпровідника, розташованою між [[Підкладка (електроніка)|підкладкою]] і затвором. До каналу під'єднані два електроди — витік, що є джерелом [[носії заряду|носіїв заряду]] й стік, до якого носії заряду стікаються. Контакти між витоком та стоком і каналом робляться [[Омічний контакт|омічними]]. Для цього приконтактні області сильно легують. Ці області позначені на рисунку n<sup>+</sup>.
| |||