DRAM: відмінності між версіями

 

=== Регенерація ===

На відміну від ''статичної пам'яті'' типу [[SRAM]] ({{lang-en|static random access memory}}), яка є конструктивно складнішим і дорожчим типом пам'яті [[RAM]] та використовується в основному для [[кеш]]-пам'яті, пам'ять DRAM виготовлюється на основі [[електричний конденсатор|конденсаторів невеликої ємності]], які швидко втрачають заряд, тому інформацію доводиться оновлювати через певні проміжки часу, щоб уникнути втрати даних. Цей процес називається [[Регенерація пам'яті|регенерацією пам'яті]] і реалізовується спеціальним [[мікроконтролер]]ом, встановленим на [[материнська плата|материнській платі]], або інтегрованому в кристал центрального процесора. Протягом певного часу, який називається ''крок регенерації'', в DRAM перезаписується рядок ({{lang-en|row}}) комірок, і через кожні ''8-64 мс'' оновлюються всі рядки пам'яті.<ref>Див. також ''електричні шини'' [[CS]] (column select) та [[RS]] (row select).</ref>