Напівпровідник: відмінності між версіями

[неперевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
Рядок 20:
Під час розриву зв'язку між електроном і ядром з'являється вільне місце в електронній оболонці атома. Це обумовлює перехід електрона з іншого атома на атом з вільним місцем. На атом, звідки перейшов електрон, входить інший електрон з іншого атома і т. д. Цей процес обумовлюється ковалентними зв'язками атомів. Таким чином, відбувається переміщення позитивного заряду без переміщення самого атома. Цей умовний позитивний заряд називають [[Дірка (квазічастинка)|діркою]].
 
З ростом температури число вільних електронів і дірок збільшується, тому у напівпровідникунапівпровідник, що не містить домішок, має вищий питомий електричний опір, ніж з зменшуєтьсядомішками. Умовно прийнято вважати напівпровідниками елементи з енергією зв'язку електронів меншою від 1,5…2 еВ. Електронно-дірковий механізм електричної провідності проявляється у ''власних напівпровідників'' (тобто у хімічно чистих з ідеально правильними кристалічними ґратками). Він називається ''власною провідністю'' напівпровідників. Згідно із зонною теорією твердих тіл власна провідність напівпровідника пов'язана з тим, що в результаті теплового збудження частина електронів перекидається з [[валентна зона|валентної зони]] Е<sub>в</sub> у [[зона провідності|зону провідності]] Е<sub>п</sub>. Ці електрони називають ''електронами провідності''; під дією зовнішнього електричного поля вони набувають у напівпровіднику впорядкованого руху (дрейфу), утворюючи електричний струм.
 
Електрони, що залишилися у валентній зоні, теж беруть участь у створенні електричного струму, переходячи під дією поля на звільнені енергетичні рівні поблизу «стелі» валентної зони. Цей рух можна розглядати як рух позитивно заряджених носіїв заряду&nbsp;— дірок. Зазвичай рухливість дірок у напівпровіднику є нижчою від рухливості електронів провідності.