Напівпровідник: відмінності між версіями
| [перевірена версія] | [перевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Shkod (обговорення | внесок) |
Shkod (обговорення | внесок) Немає опису редагування |
||
Рядок 65:
Домішки вносять зміни у періодичне електричне поле кристала і впливають на рух електронів та їхні енергетичні стани. Енергетичні рівні валентних електронів домішкових атомів не розташовуються у дозволених енергетичних зонах основного кристала, а утворюють домішкові енергетичні рівні (локальні рівні), що розташовані у забороненій зоні.
Домішки можуть слугувати додатковими джерелами електронів у кристалі. Наприклад при заміщенні одного чотиривалентного атома германію п'ятивалентним атомом фосфору,
Енергетичний рівень такого електрона розташовується нижче від зони провідності. Такі рівні, заповнені електронами, називають ''атомами-донорами''. Для переведення електронів з донорних рівнів у незаповнену зону провідності потрібна порівняно мала енергія. Наприклад, для кремнію ΔW<sub>n</sub> = 0,054 еВ, у випадку коли домішкою є миш'як. У результаті переведення електронів з донорних рівнів у зону провідності у напівпровіднику виникає ''електронна домішкова провідність''. Напівпровідники такого типу називають ''електронними'' або ''[[напівпровідник n-типу|напівпровідниками n-типу]]''.
| |||