Гігантський магнетоопір: відмінності між версіями
[перевірена версія] | [перевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
MobyVan (обговорення | внесок) м replaced: у якості → як (5), У якості → Як, сьогоднішній день → сьогодні за допомогою AWB |
MobyVan (обговорення | внесок) м replaced: єтсья → ється (2) за допомогою AWB |
||
Рядок 395:
}}</ref>.
Як і для CIP, еквівалентна схема CPP-структури
: <math>R_{\uparrow\uparrow}^{CPP}=\frac{1}{S}\left( \frac{1}{2a\rho_{F+}+b\rho_N} + \frac{1}{2a\rho_{F-}+b\rho_N} \right)^{-1},</math>
: <math>R_{\uparrow\downarrow}^{CPP}=\frac{a(\rho_{F+}+\rho_{F-})+b\rho_N}{S}.</math>
Рядок 752:
| archiveurl = http://www.webcitation.org/60pw3y2ST
| archivedate = 2011-08-10
}}</ref>. В подібних структурах також необхідні вентильні елементи, що попереджують блукаючі струми між комірками пам'яті. Таким вентильним елементом може бути [[МОН-структура|МОН-транзистор]], до стоку якого
|автор = Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee
|заголовок = Magnetic Memory: Fundamentals and Technology
|