Гігантський магнетоопір: відмінності між версіями

[перевірена версія][перевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
м replaced: у якості → як (5), У якості → Як, сьогоднішній день → сьогодні за допомогою AWB
м replaced: єтсья → ється (2) за допомогою AWB
Рядок 395:
}}</ref>.
 
Як і для CIP, еквівалентна схема CPP-структури складаєтсьяскладається з паралельно з'єднаних каналів опорів для електронів з протилежними напрямками спінів. Відмінність від попереднього випадку полягає лише у коефіцієнті пропорційності між питомим і інтегральним опорами, оскільки електрон тепер має подолати не поздовжній розмір ''L'', а товщини шарів ''a'' і ''b''. Якщо позначити через ''S'' площу структури, то
: <math>R_{\uparrow\uparrow}^{CPP}=\frac{1}{S}\left( \frac{1}{2a\rho_{F+}+b\rho_N} + \frac{1}{2a\rho_{F-}+b\rho_N} \right)^{-1},</math>
: <math>R_{\uparrow\downarrow}^{CPP}=\frac{a(\rho_{F+}+\rho_{F-})+b\rho_N}{S}.</math>
Рядок 752:
| archiveurl = http://www.webcitation.org/60pw3y2ST
| archivedate = 2011-08-10
}}</ref>. В подібних структурах також необхідні вентильні елементи, що попереджують блукаючі струми між комірками пам'яті. Таким вентильним елементом може бути [[МОН-структура|МОН-транзистор]], до стоку якого підключаєтсьяпідключається ГМО-структура, до витоку&nbsp;— [[заземлення]], а до [[Затвор (електрод)|затвору]]&nbsp;— одна з ліній, що слугує для зчитування<ref name="Tang10_93-95">{{книга
|автор = Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee
|заголовок = Magnetic Memory: Fundamentals and Technology