Ефект поля: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Немає опису редагування |
||
Рядок 1:
'''Ефект поля''' ('''Field Effect''') - вплив зовнішнього ''електричного поля'' на електропровідність напівпровідника. В загальному випадку розглядається напівнескінченний напівпровідник, який має як мінімум ''одну поверхню'', властивості якої і розглядаються.
Основним "дефектом" такого напівпровідника є наявність поверхні (обрив періодичності кристалічної решітки), що по замовчуванню детермінує наявність [[Поверхневі стани|''поверхневих станів'']]. Крім того, на поверхні присутні різноманітні дефекти та домішки, що також вносять свій вклад в поверхневі стани.
Основною теоретичною проблемою ефекта поля є знаходження розподілу поверхневого та внутрішнього потенціалу в напівпровіднику, особливо при прикладенні зовнішнього електричного поля.
Основною експериментальною проблемою ефекта поля була фіксація ''поверхневих станів'' при зміні зовнішніх факторів, що довгий час не давало можливості для повноцінного дослідження поверхневої провідності та практичної реалізації [[МДН- транзистор|МДН- транзисторів]]. Ця проблема була розв'язана з розробкою технології пасивації кремнію на початку 60-х років 20-го століття.
| |||