Легування (електроніка): відмінності між версіями

[неперевірена версія][перевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
Glovacki (обговорення | внесок)
Немає опису редагування
правопис, вікіфікація
 
Рядок 3:
[[Файл:N-doped Si.svg|міні|праворуч|200пкс|''N''-допування [[фосфор]]ом [[кремній|кремнію]]]]
 
'''Легува́ння, допува́ння''' ({{lang-en|doping}})  — процес додавання контрольованих [[Легуюча домішка|домішок]] до [[напівпровідник]]а. Процес базується на властивості напівпровідників, що робить їх найкориснішими для розробки [[Електронний прилад|електронних пристроїв]]: їхню [[електропровідність]] можна легко змінити шляхом введення домішок в їх [[Кристалічна ґратка|кристалічну решітку]]. Певна кількість домішок, або [[дифузант]]ів, доданих до бездомішкового (чистого) напівпровідника, змінює його провідність.
 
== Див. також ==
Рядок 12:
 
== Джерела ==
* Глосарій термінів з хімії // Й.  Опейда, О.  Швайка. Ін-т фізико-органічної хімії та вуглехімії ім. Л. М. Литвиненка НАН України, Донецький національний університет . — Донецьк : «Вебер», 2008.  — 758  с.  — ISBN 978-966-335-206-0.
 
[[Категорія:Напівпровідники]]