Вакуумне напилення: відмінності між версіями
| [перевірена версія] | [перевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Shkod (обговорення | внесок) Немає опису редагування |
Shkod (обговорення | внесок) Немає опису редагування |
||
Рядок 2:
[[Файл: Coating deposition machine by evaporation at LAAS 0473.jpg|thumb|250px|Установка вакуумного напилення]]
[[Файл: TiNCoatedPunches_NanoShieldPVD_Thailand.JPG|thumb|250px|Деталі з покриттям з нітриду титану, отриманим вакуумним напиленням з електродуговим нагріванням]]
'''Ва́куумне напи́лення''' або '''вакуумно-конденсаційний спосіб нанесення покриття''' ({{lang-en|physical vapour deposition, PVD}} — напилення конденсацією з парової (газової) фази) — група методів напилення [[Покриття поверхні|покриттів]] (тонких плівок) у [[вакуум]]і, при яких покриття отримується шляхом прямої [[конденсація|конденсації]] [[пара|пари]] матеріалу, що наноситься<ref name=DSTU2491>ДСТУ 2491-94 Покриття металеві та неметалеві неорганічні. Терміни та визначення.</ref>.
З використанням методів вакуумного напилення отримують покриття товщиною від декількох [[ангстрем]] до декількох [[мікрон]]ів, зазвичай після нанесення покриття поверхня не потребує додаткового оброблення.
Рядок 30:
2) За способом нанесення матеріалу покриття:
* конденсації з пари або конденсаційний спосіб ({{lang-en|evaporation}}) — нанесення через конденсацію неіонізованих або мало-іонізованих випарів металу або сполуки, які отримуються термічними методами шляхом випаровування<ref
* іонно-плазмове напилення ({{lang-en|ion plating}} або {{lang-en|plasma assisted physical vapor deposition; PA PVD}}) — нанесення пари металу або сполук випаровуванням та термічною сублімацією дуже іонізованих вакуумною дугою або іншим джерелом іонізації;
* іонне (плазмоіонне) розпилення ({{lang-en|sputtering}}) полягає у бомбардуванні позитивними іонами твердої мішені (катода) з матеріалу, що наноситься, з подальшим осадженням розпилених частинок на поверхні деталей. Часто цей процес називають катодним розпиленням. Джерелом позитивних іонів є плазма тліючого розряду в середовищі робочого газу (аргону, азоту, оксиду вуглецю) при невисокому тиску в камері (0,1…1 Па):
| |||