Мікросхема: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
Ветер (обговорення | внесок) Немає опису редагування |
||
Рядок 23:
* Електричний — принципова електрична схема (транзистори, конденсатори, резистори тощо).
* Фізичний — методи реалізації одного транзистора (чи невеликої групи) у вигляді легованих зон на кристалі.
* Топологічний — схеми трасування друкованих плат та топологічні фотошаблони для виробництва.
* Програмний рівень — дозволяє програмістові програмувати (для мікроконтролерів і мікропроцесорів) модель, що розробляється, використовуючи віртуальну схему.
Нині велика частина інтегральних схем проектується за допомогою спеціалізованих [[Система автоматизованого проектування і розрахунку|САПР]], які дозволяють автоматизувати і значно прискорити виробничі процеси. [[Програми проектування електронних систем]], наприклад,
== Технології виготовлення ==
=== Елементна база ===
Основним елементом аналогових мікросхем є [[транзистор]]и (біполярні або польові). Різниця в технології виготовлення транзисторів істотно впливає на характеристики мікросхем. Тому нерідко в описі мікросхеми вказують технологію виготовлення, щоб підкреслити тим самим загальну характеристику властивостей і можливостей мікросхеми. У сучасних технологіях об'єднують технології біполярних і польових транзисторів, щоб добитися поліпшення характеристик мікросхем.
| |||