Напівпровідниковий діод: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Albedo (обговорення | внесок) Немає опису редагування |
Shkod (обговорення | внесок) вікіфікація |
||
Рядок 7:
== Виробництво ==
У 1953 році випущений перший радянський напівпровідниковий діод, до 1958. випуск напівпровідникових приладів склав 54
</ref>.
Рядок 26:
* C<sub>б</sub> — бар'єрна ємність;
* С<sub>Д</sub> — дифузійна ємність
* R<sub>тп к</sub> — тепловий опір перехід
* К<sub>в</sub> — коефіцієнт випростування;
* φ<sub>к</sub> — контактна різниця потенціалів.
Рядок 35:
== Застосування ==
Застосовується практично у всіх електронних схемах, та в багатьох електричних.
== Література ==▼
* {{МГЕ|nocat=1}}▼
* [http://tiristor.net/analogi-2 Таблиці аналогів діодов и тиристорів, зарубіжні та вітчизняні]{{ref-ru}}▼
== Див. також ==
Рядок 49 ⟶ 45:
* [[Тунельний діод]]
* [[Резонансний тунельний діод]]
== Примітки ==
{{reflist}}
▲== Література ==
▲* {{МГЕ|nocat=1}}
▲* [http://tiristor.net/analogi-2 Таблиці аналогів діодов и тиристорів, зарубіжні та вітчизняні]{{ref-ru}}
{{Electronics-stub}}
| |||