Польовий транзистор: відмінності між версіями

[перевірена версія][неперевірена версія]
Вилучено вміст Додано вміст
зображення, доповнення
м →‎Будова: уточнення
Рядок 10:
[[Файл:Lateral mosfet.svg|thumb|300px|right|Схема будови метал-оксидного польового транзистора]]
 
На малюнку праворуч схематично зображена будова одного з типів польового транзистора: метал-оксидного ([[МДН- транзистор|MOSFET]]), або МОН (метал-оксид-напівпровідник). Усі транзистори такого типу мають ''витік'', ''стік'' та ''канал'', яким відповідають ''еміттер'', ''колектор'' та ''база''. Струм в транзисторі протікає через канал, що утворено легованою областю напівпровідника, розташованою між [[Підкладка (електроніка)|підкладкою]] і затвором. До каналу під'єднані два електроди&nbsp;— витік, що є джерелом [[носії заряду|носіїв заряду]] й стік, до якого носії заряду стікаються. Контакти між витоком та стоком і каналом робляться [[Омічний контакт|омічними]]. Для цього приконтактні області сильно легують. Ці області позначені на рисунку n<sup>+</sup>.
 
== Принцип дії ==