Мікросхема: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
Вилучено вміст Додано вміст
Немає опису редагування |
шаблон |
||
Рядок 1:
{{об'єднати|Інтегральна мікросхема|дата=грудень 2014}}
[[Файл:Microchips.jpg|right|thumb|200px|Мікросхема ([[Постійний запам'ятовувач|ППЗП]]) з прозорим віконцем, через яке видно кристал напівпровідника]]
[[{{ns:file}}:Intel Pentium Processor (backside) with heat sink.jpg|thumb|Інтегральна схема (І мікросхема)]]
Рядок 40 ⟶ 41:
При виготовленні мікросхем використовується метод [[фотолітографія|фотолітографії]] (проекційної, контактної та ін.), при цьому схему формують на [[Підкладка (електроніка)|підкладці]] (зазвичай з кремнію), отриманій шляхом різання алмазними дисками монокристалів кремнію на тонкі пластини. Зважаючи на крихту лінійних розмірів елементів мікросхем, від використання видимого світла, і навіть ближнього ультрафіолету, при засвіченні давно відмовилися.
В якості характеристики технологічного процесу виробництва мікросхем вказують мінімальні контрольовані розміри топології фотоповторювача (контактні вікна в оксиді кремнію, ширина затворів в транзисторах і т. д.) і, як наслідок, розміри транзисторів (і інших елементів) на кристалі. Цей параметр, проте, знаходиться у взаємозалежності з рядом інших виробничих можливостей
В 1970-х роках мінімальний контрольований розмір становив 2-8 мкм, в 1980-х був зменшений до 0,5-2 мкм. Деякі експериментальні зразки устаткування фотолітографії рентгенівського діапазону забезпечували мінімальний розмір 0,18 мкм.
Рядок 58 ⟶ 59:
=== Ступінь інтеграції ===
Залежно від ступеня інтеграції застосовують наступні назви інтегральних схем:
* мала інтегральна схема (МІС)
* середня інтегральна схема (СІС)
* велика інтегральна схема (ВІС)
* надвелика інтегральна схема (НВІС)
=== Контроль якості ===
Рядок 135 ⟶ 136:
* [[Мультиплексор|Комутатори]]
* [[Електронний генератор|Генератори]] і відновники частоти тактової синхронізації
* [[Базовий матричний кристал|Базові матричні кристали]] (БМК)
== Див. також ==
| |||